本申请要求于2019年10月16日提交的题为“用于可靠地形成具有针对硅化物区域的导电触点的微电子装置的方法以及相关装置和系统(Methods for Reliably FormingMicroelectronic Devices with Conductive Contacts to Silicide Regions,andRelated Devices and Systems)”的美国专利申请序列号16/654,865的提交日期的权益。
技术领域
本公开的实施例涉及微电子装置设计和制造领域。更具体地，本公开的实施例涉及形成具有触点的设备的方法，并且涉及相关设备、半导体装置和电子系统。
背景技术
半导体装置设计者通常期望通过减小单独特征的尺寸以及减小相邻特征之间的间隔距离来提高半导体装置内特征的集成度或密度水平。另外，半导体装置设计者通常寻求设计不仅紧凑还提供性能优势以及简化的设计的架构。
半导体装置的一个实例是存储器装置。存储器装置通常作为内部集成电路设于计算机或其它电子装置中。存在许多种类的存储器，包含但不限于随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、闪速存储器和电阻可变型存储器。电阻可变型存储器的非限制性实例包含电阻式随机存取存储器(ReRAM)、导电桥式随机存取存储器(导电桥式RAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、相变材料(PCM)存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、自旋扭矩转移随机存取存储器(STTRAM)、基于氧空位的存储器和可编程导体存储器。
存储器装置的典型存储器单元包含存取装置(例如，晶体管)和通过导电触点电耦接到存取装置的存储器存储结构(例如，电容器)。存取装置通常包含在一对源极/漏极区域之间的沟道区域，以及被配置成通过所述沟道区域将所述源极/漏极区域彼此电连接的栅极电极。存取装置可以包括平面存取装置或竖直存取装置。平面存取装置可以基于其源极区域与漏极区域之间的电流方向与竖直存取装置区分。竖直存取装置的源极区域与漏极区域之间的电流主要与其下的衬底或基底结构的主(例如，主要)表面基本上正交(例如，垂直)，而平面存取装置的源极区域与漏极区域之间的电流主要与其下的衬底或基底的主表面平行。
用于存储器装置的常规存储器单元的结构和制造方法可能具有不太合乎期望的电学性质。例如，包含在常规存储器单元中的导电触点可以采用二硅化钴(CoSi
前述的清洁、干燥和残余物去除动作使得能够形成具有足够纯度的硅化物材料，从而在要形成的导电接触结构与多晶硅结构(例如，其可以包含如存储器装置等微电子装置的源极/漏极区域)之间提供足够的电连通。然而，这些与常规制造方法相同的动作可能导致接触扩张(例如，由于在清洁、干燥和钴去除动作中接触开口无意地变宽)，从而导致短路和电流泄漏的风险增加。防止此类问题的常规工作(如在接触开口周围包含保护性介电结构(例如，SiN))容易引起其它问题，如接触减少(例如，接触宽度减小、硅化物区域大小减小或二者)，导致接触电阻增加并且装置性能下降。
例如，如图1A所展示，理想地，通过常规方法形成导电接触结构102(例如，导电单元接触结构)可以寻求在硅化物区域106(例如，硅化钴区域)与导电接触结构102的一或多个金属氮化物衬里(例如，第一金属氮化物衬里108和第二金属氮化物衬里110)的第一金属氮化物衬里108之间的接口104处形成具有足够宽度WC(并且因此具有足够的电子连接)的导电接触结构102。而且，理想地，硅化物区域106完全沿着多晶硅结构112的上表面延伸。然而，使用常规方法的事实可能会导致无意的接触扩张，如图1B所展示，或者无意的接触减少，如图1C所展示。
进一步关于图1B，接触扩张可以由例如在常规的制造方法期间清洁和干燥接触开口以制备多晶硅结构112的表面从而在其上形成钴而产生，或者再例如，由在形成硅化物区域106的硅化钴之后去除未转化钴材料而产生。清洁、干燥和钴去除动作可能会无意地去除邻近的介电材料(如介电衬里114(例如，SiN衬里)、介电结构116(例如，另一个SiN结构)和另一个介电结构118(例如，SiO
进一步关于图1C，如果例如在清洁、干燥和钴去除动作期间未去除足够的介电衬里114(尤其是因为在清洁、干燥和钴去除动作期间控制从介电衬里114去除材料的量具有挑战性)，则通过邻近接触开口提供较厚的介电衬里114来对抗接触扩张的常规工作可能会导致无意的接触减少。使用较厚的介电衬里114还限制了可以在多晶硅结构112上形成的钴的量，并且因此也限制了硅化物区域106的大小。利用减小的硅化物区域106，减小了接口104，从而在硅化物区域106与例如第一金属氮化物衬里108之间提供了较少的物理和电连接。因此，相对于图1A的预期理想状态，导电结构的有效电阻将增加。
图1A到图1C展示了用于导电存储器单元触点形式的导电接触结构102的常规制造方法和结构的挑战。常规制造方法还提供了与其它类型的导电接触结构(包含外围接触结构)的接触扩张和接触减少的前述挑战，如图2A到图2C所展示。
如图2A所展示，导电接触结构202(例如，外围接触结构)的理想化制造将形成导电接触结构202，使得具有硅化物区域206的接口204具有形成足够的电接触所需的宽度。接口连接材料可以是至少一个金属氮化物衬里(例如，一个以上也包含第二金属氮化物衬里210的金属氮化物衬里的第一金属氮化物衬里208)和形成在多晶硅结构212(例如，衬底)的表面的一部分中的硅化物区域206的硅化物(例如，硅化钴)。理想地，不需要介电衬里(例如，图2C的介电衬里214)，而相邻介电材料(例如，介电结构216和另一个介电结构218的介电材料)在形成第一金属氮化物衬里208、第二金属氮化物衬里210和导电接触结构202所占据的接触开口之后保持完整。然而，正如上面图1B和图1C的讨论一样，使用常规制造方法的事实可能导致如图2B所展示的接触扩张或如图2C所展示的接触减少。也就是说，在常规制造方法期间，清洁、干燥和残余钴去除动作可能导致接触开口扩张，因为介电材料(例如，介电结构216和其它介电结构218的介电材料)被无意地去除，特别是在无保护性介电衬里(例如，图2C的介电衬里214)的情况下。随着此类接触扩张，导电接触结构202与附近的其它导电结构(例如，栅极220)之间的短路和电流泄漏风险增加。可替代地，使用如图2C的介电衬里214等保护性介电衬里可能导致与更小的硅化物区域206(例如，与图2A或图2B的硅化物区域相比)以及与具有更小宽度的导电接触结构202(例如，与图2A和图2B的接触结构相比)的接触减少(例如，如果在清洁、干燥等动作期间此类介电衬里被全部去除或去除不足)。因此，接触减少引起导电接触结构202中的更高电阻，从而妨害导电接触结构202的性能。
因此，邻近硅化物区域可靠地形成导电接触结构(例如，存储器单元接触结构和外围接触结构)仍然呈现出挑战。
发明内容
公开了一种形成微电子装置的方法。所述方法包括形成穿过至少一种介电材料的开口以暴露多晶硅结构的表面。在所述开口中形成第一金属氮化物衬里。在形成所述第一金属氮化物衬里之后，清洁和干燥所述多晶硅结构的所述表面。在所述多晶硅结构的所述表面形成金属硅化物区域。在所述第一金属氮化物衬里上和所述金属硅化物区域上形成第二金属氮化物衬里。用导电材料填充覆盖所述第二金属氮化物衬里的所述开口的剩余部分，以形成导电接触结构。
还公开了一种微电子装置。所述微电子装置包括金属硅化物材料上的至少一个导电接触结构。第一金属氮化物衬里位于所述至少一个导电接触结构的竖直侧壁上。第二金属氮化物衬里位于所述导电接触结构与所述金属硅化物材料之间。
此外，公开了一种形成微电子装置的方法。所述方法包括形成穿过至少一种介电材料的接触开口以暴露多晶硅结构的表面部分。在不清洁且不干燥所述多晶硅结构的所述表面部分的情况下，在所述接触开口中形成第一金属氮化物衬里。去除所述第一金属氮化物衬里的一部分以重新暴露所述多晶硅结构的所述表面部分。清洁和干燥所述多晶硅结构的所述表面部分，并且在所述多晶硅结构的所述表面部分形成硅化物区域。在所述硅化物区域上形成第二金属氮化物衬里。在所述第二金属氮化物衬里上形成导电接触结构。
进一步地，公开了一种微电子装置。所述微电子装置包括与电绝缘导电区域侧向邻近的导电接触结构。硅化物区域位于所述导电接触结构下方。单个金属氮化物衬里直接位于所述硅化物区域与所述导电接触结构之间。
仍进一步地，公开了一种电子系统。所述电子系统包括至少一个存储器装置，所述至少一个存储器装置包括与至少一个存储器单元可操作地通信的至少一个数位线和至少一个字线。所述至少一个存储器单元包括金属氮化物衬里内的至少一个导电接触结构。所述金属氮化物衬里包括第一金属氮化物衬里和第二金属氮化物衬里。所述至少一个存储器单元还包括多晶硅结构上的金属硅化物材料。所述第二金属氮化物衬里直接安置于所述金属硅化物材料与所述至少一个导电接触结构之间。所述电子系统还包括至少一个电子信号处理器、至少一个输入装置和至少一个输出装置。所述至少一个电子信号处理器与所述至少一个存储器装置可操作地连接。所述至少一个输入装置与所述至少一个电子信号处理器可操作地通信。所述至少一个输出装置与所述至少一个输入装置可操作地通信。
附图说明
图1A到图1C是假想微电子装置结构的横截面立面示意图，其中：
图1A展示了具有由理想化常规方法形成的单元接触结构的假想微电子装置结构；
图1B展示了具有单元接触结构的假想微电子装置结构，所述单元接触结构由于常规制造方法的挑战而表现出无意的接触扩张；并且
图1C展示了具有单元接触结构的假想微电子装置结构，所述单元接触结构由于常规制造方法的挑战而表现出无意的接触减少。
图2A到图2C是假想微电子装置结构的横截面立面示意图，其中：
图2A展示了具有由理想化常规方法形成的外围接触结构的假想微电子装置结构；
图2B展示了具有外围接触结构的假想微电子装置结构，所述外围接触结构由于常规制造方法的挑战而表现出无意的接触扩张；并且
图2C展示了具有外围接触结构的假想微电子装置结构，所述外围接触结构由于常规制造方法的挑战而表现出无意的接触减少。
图3到图10是根据本公开的实施例的在制造图10所展示的具有单元接触结构的微电子装置结构的各个加工阶段期间的横截面立面示意图。
图11到图18是根据本公开的实施例的在制造图18所展示的具有外围接触结构的微电子装置结构的各个加工阶段期间的横截面立面示意图。
图19是根据本公开的实施例的存储器装置的功能性框图。
图20是根据本公开的实施例的电子系统的示意性框图。
具体实施方式
根据本公开的实施例，结构(例如，微电子装置结构)、设备(例如，微电子装置，如存储器装置)和系统(例如，电子系统)包含一或多个导电接触结构，每个导电接触结构导致在多晶硅结构中形成硅化物区域。在清洁和干燥动作之前，导电接触结构在侧向上衬有在接触开口中形成的第一金属氮化物衬里。导电接触结构在侧向上和下方还衬有第二金属氮化物衬里。在形成期间，第一金属氮化物衬里保护其中形成有接触开口的邻近介电材料，从而阻止介电材料被去除，以阻止接触开口无意加宽。使用第一金属氮化物衬里还避免了在接触开口内对常规的厚介电衬里(例如，图1C的介电衬里114、图2C的介电衬里214)的需要；因此，也避免了无意的接触减少的风险。本文描述的方法使得能够精确控制导电接触结构的侧向尺寸(例如，宽度、直径)，例如在数纳米量级上，甚至在高纵横比接触开口的情况下，并且控制使用清洁、干燥和蚀刻加工动作。
如本文所使用的，术语“开口”意指延伸穿过至少一个结构或至少一种材料而在所述至少一个结构或至少一种材料中留下间隙的体积，或在结构或材料之间延伸而在所述结构或材料之间留下间隙的体积。除非另有说明，否则“开口”不一定无材料。也就是说，“开口”不一定是空白空间。在结构或材料中或其间形成的“开口”可以包括在其中或在其间形成开口的结构或材料以外的一或多个结构或一或多种材料。并且，开口内“暴露”的一或多个结构或一或多种材料不一定与大气或非固体环境接触。开口内“暴露”的一或多个结构或一或多种材料可以与安置在开口内的其它一或多个结构或一或多种材料邻近或接触。
如本文所使用的，术语“衬底”意指并且包含形成如存储器单元内的组件等组件的基底材料或其它构造。衬底可以是半导体衬底、支撑结构上的基底半导体材料、金属电极或具有形成于其上的一或多种材料、一或多个结构或一或多个区域的半导体衬底。衬底可以是常规的硅衬底或包含半导体材料的其它体衬底。如本文所使用的，术语“体衬底”不仅意指并且包含硅晶圆，还意指并且包含绝缘体上硅(“SOI”)衬底，如蓝宝石上硅(“SOS”)衬底或玻璃上硅(“SOG”)衬底、基底半导体基础上的外延硅层或其它半导体或光电子材料，如硅锗(Si
如本文所使用的，术语“水平(horizontal)”或“侧向(lateral)”意指并且包含平行于衬底的所引用材料或结构所处的主表面的方向。各个材料或结构的宽度和长度可以被定义为水平面中的尺寸。
如本文所使用的，术语“竖直(vertical)”或“纵向(longitudinal)”意指并且包含垂直于衬底的所引用材料或结构所处的主表面的方向。各个材料或结构的高度可以被定义为竖直平面中的尺寸。
如本文所使用的，术语“厚度(thickness)”或“薄度(thinness)”意指并且包含在直线方向上的尺寸，所述直线方向垂直于邻近的材料或结构的最近表面，所述材料或结构具有不同的成分或与讨论了厚度、薄度或高度的材料或结构有区别。
如本文所使用的，术语“介于...之间”是用于描述一种材料、一个结构或一个子结构相对于至少两种其它材料、至少两个其它结构或至少两个其它子结构的相对安置的空间相对术语。术语“介于...之间”可以涵盖一种材料、一个结构或一个子结构被安置成与其它材料、结构或子结构直接邻近以及一种材料、一个结构或一个子结构被安置成与其它材料、结构或子结构间接邻近。
如本文所使用的，术语“接近”是用于描述一种材料、一个结构或一个子结构安置在另一种材料、另一个结构或另一个子结构附近的空间相对术语。术语“接近”包含安置成间接邻近、直接邻近和位于内部。
如本文所使用的，术语“相邻(neighboring)”在指代材料或结构时，意指并且指代所标识的成分或特征的下一个、最接近的材料或结构。除了所标识的成分或特征之外的其它成分或特征的材料或结构可以安置在所标识的成分或特征的材料或结构与其“相邻”材料或结构之间。例如，与材料Y的结构“相邻”的材料X的结构是例如多个材料X结构中第二个最接近材料Y的特定结构的第一材料X结构。“相邻”的材料或结构可以直接或间接地接近所标识的成分或特征的结构或材料。
如本文所使用的，术语“约(about)”或“大约(approximately)”在其中任一个关于特定参数的数值使用时包含所述数值以及本领域普通技术人员将理解为处于特定参数的可接受公差内的与所述数值的一定程度的差异。例如，关于数值的“约”或“大约”可以包含在数值的90.0％到110.0％的范围内的另外的数值，如在数值的95.0％到105.0％的范围内、在数值的97.5％到102.5％的范围内、在数值的99.0％到101.0％的范围内、在数值的99.5％到100.5％的范围内或在数值的99.9％到100.1％的范围内。
如本文所使用的，当指代参数、性质或条件时，术语“基本上”意指并且包含与给定值相等或与给定值有一定程度的差异的参数、性质或条件，使得本领域普通技术人员能够理解将可接受地满足此类给定值，如在可接受的制造公差范围内。举例来说，根据基本上得到满足的特定参数、性质或条件，当值至少90.0％满足、至少95.0％满足、至少99.0％满足或甚至至少99.9％满足时，参数、性质或条件可以“基本上”为给定值。
如本文所使用的，将一个元件称为位于另一个元件“上”或“上方”意指并包含所述元件直接位于所述另一个元件的顶部、与所述另一个元件邻近(例如，侧向邻近、竖直邻近)、位于所述另一个元件下方或与所述另一个元件直接接触。其还包含所述元件间接位于所述另一个元件的顶部、与所述另一个元件间接邻近(例如，侧向邻近、竖直邻近)、间接位于所述另一个元件下方或间接位于所述另一个元件附近，其中其间存在其它元件。相反，当一个元件被称为“直接位于另一个元件上”或“与另一个元件直接邻近”时，不存在中间元件。
如本文所使用的，为了便于描述，可以使用如“之下”、“下部”、“底部”、“之上”“上部”、“顶部”等其它空间相对术语来描述如附图所示的一个元件或特征与另一或多个元件或特征的关系。除非另有指定，否则除了附图中描绘的朝向之外，空间相对术语旨在还涵盖材料的不同朝向。例如，如果将附图中的材料倒置，则被描述为位于其它元件或特征“之下”或“下方”或“底部”的元件将被定向为在所述其它元件或特征“之上”或“顶部”。因此，术语“之下”可以涵盖之上朝向和之下朝向两者，这取决于使用所述术语的上下文，这对于本领域的普通技术人员来说是显而易见的。材料可以以其它方式定向(旋转九十度、倒置等)并且因此本文使用空间相对描述语进行相应地解释。
本文所使用的并且包含“x”、“y”和“z”中的一或多个的式(例如，化合物式)表示包含一个元素的“x”个原子、另一个元素的“y”个原子和/或另外的元素(如果有的话)的“z”个原子的平均比率的材料。由于所述式表示相对原子比而不是严格的化学结构，因此材料可以包括一或多种化学计量化合物和/或一或多种非化学计量化合物，并且“x”、“y”和/或“z”(如果有的话)的值可以是整数或者可以是非整数。如本文所使用的，术语“非化学计量化合物”意指并包含具有无法通过明确定义的自然数的比率表示并且违反定比定律的元素成分的化合物。
如本文所使用的，术语“包括(comprises)、包括(comprising)”、“包含(includes)和/或包含(including)”指定所陈述的特征、结构、阶段、操作、元素、材料、组件和/或组的存在，但不排除一或多个其它特征、结构、阶段、操作、元素、材料、组件和/或其组的存在或添加。
如本文所使用的，“和/或”包含相关联的所列项中的一或多个项的任何和所有组合。
如本文所使用的，单数形式“一个(a)、一种(an)”和“所述(the)”旨在也包含复数形式，除非上下文另外明确指示。
如本文所使用的，术语“配置的(configured)”和配置(configuration)意指并且指代所引用的材料、结构、组合件或设备的大小、形状、材料组成、取向和布置，以便于以预定方式对所引用的材料、结构、组合件或设备进行引用操作。
本文呈现的图示并不意指是任何特定材料、结构、子结构、区域、子区域、装置、系统或制造阶段的实际视图，而仅仅是用于描述本公开的实施例所采用的理想化表示。
本文参考作为示意图的横截面图示描述了实施例。因此，应预计由于例如制造技术和/或公差产生的图示的形状变化。因此，本文所描述的实施例不应被解释为受限于所展示的特定形状或结构，而是可以包含例如由制造技术产生的形状偏差。例如，被展示或描述为盒形的结构可以具有粗的和/或非线性的特征。此外，所展示的尖锐的角可为有倒角的(rounded)。因此，附图中展示的材料、特征和结构本质上是示意性的，并且其形状并不旨在展示材料、特征或结构的精确形状，并且不限制本发明权利要求的范围。
以下描述提供了具体细节，如材料类型和加工条件，以提供对所公开的设备(例如，装置、系统)和方法的实施例的全面描述。然而，本领域的普通技术人员应当理解，可以在不采用这些具体细节的情况下实践设备和方法的实施例。实际上，可以结合行业中采用的常规的半导体制造技术来实践设备和方法的实施例。
本文所描述的制造工艺并未形成用于加工设备(例如，装置、系统)或其结构的完整工艺流程。工艺流程的剩余部分对于本领域的普通技术人员来说是已知的。因此，本文仅描述了理解发明设备(例如，装置、系统)和方法的实施例所必需的方法和结构。
除非上下文另有说明，否则可以通过任何合适的技术形成本文所描述的材料，所述技术包含但不限于旋涂、毯式涂覆、化学气相沉积(“CVD”)、原子层沉积(“ALD”)、等离子体增强ALD、物理气相沉积(“PVD”)(例如，溅射)或外延生长。本领域的普通技术人员可以根据要形成的具体材料选择用于使材料沉积或生长的技术。
除非上下文另有指示，否则可以通过任何合适的技术去除本文所描述的材料，所述技术包含但不限于蚀刻(例如，干法蚀刻、湿法蚀刻、蒸气蚀刻)、离子铣削、研磨平坦化或其它已知方法。
现在参考附图，其中贯穿附图，相似的附图标记指代相似的组件。附图不一定按比例绘制。
根据本公开的方法，通过不具有接触扩张或接触减少的风险的方法来形成具有导电接触结构的设备。通过下文所提供的描述，对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，本文所描述的方法可以用于制造各种装置(例如，微电子装置)。换句话说，当需要形成具有导电接触结构(如邻近由包含清洁、干燥或残余物去除动作的方法动作形成的硅化物区域的导电接触结构)的设备时，可以使用本公开的方法。
图3到图10是展示了形成具有导电单元接触结构的设备(例如，微电子装置，如半导体装置、存储器装置、DRAM装置)的方法的实施例的简化横截面视图。
参考图3，通过至少一种介电材料形成(例如，蚀刻)接触开口302以暴露多晶硅结构304的表面。例如，图3的接触开口302通过介电衬里306(例如，SiN)、相邻的另外的介电材料形成，所述介电材料如介电结构308(例如，SiN)、另一个介电结构310(例如，SiO
参考图4，在尚未清洁、干燥或以其它方式处理暴露于接触开口302(图3)中的表面的情况下，至少沿暴露于接触开口302中的表面形成第一金属氮化物衬里402，从而形成第一衬里接触开口404。第一金属氮化物衬里402的厚度可以在约1.5nm到约5nm的范围内。第一金属氮化物衬里402可以直接形成于由图3的接触开口302暴露的介电衬里306和多晶硅结构304的表面上。换句话说，第一金属氮化物衬里402形成于多晶硅结构304的至少一个未经处理的表面上。如本文所使用的，术语“未经处理的表面”意指并包含一旦被已完成的材料去除(例如，蚀刻)动作暴露，随后就不暴露于如清洁(例如，被配置成从表面去除杂质的动作)、干燥(例如，被配置成去除水分的动作)、以及蚀刻等材料去除动作的表面。
第一金属氮化物衬里402由耐各向同性蚀刻的金属氮化物材料(例如，氮化钛(TiN))形成，并且能够用作待形成的导电接触结构的导电材料的屏障材料。
第一金属氮化物衬里402可以通过例如沉积(例如，通过CVD、ALD的共形沉积)金属氮化物(例如，TiN)，之后去除(例如，通过CMP)在第一衬里接触开口404的边界之外的第一金属氮化物衬里402的材料而形成。
去除第一金属氮化物衬里402中邻近第一衬里接触开口404底部的一部分(通常称为“穿孔”)以形成如图5所展示的沿着开口502的侧边具有第一金属氮化物侧壁衬里504的开口502。多晶硅结构304的表面部分506暴露于开口502的底部。
去除第一金属氮化物衬里402的底部部分(图4)以形成第一金属氮化物侧壁衬里504可以通过常规工艺来完成，如在本文中未详细描述的常规蚀刻工艺(例如，常规干法蚀刻工艺)。
第一金属氮化物侧壁衬里504安置于开口502和与开口502相邻的介电材料之间，所述介电材料包含介电衬里306、介电结构308和其它介电结构310。这些介电材料中的每一种可以被覆盖在开口502内。因此，第一金属氮化物侧壁衬里504被配置成在随后的制造动作期间覆盖和保护包含直接邻近的介电衬里306的介电材料。
在沿着开口502的侧壁形成第一金属氮化物侧壁衬里504之后，多晶硅结构304的暴露表面部分506可以被清洁和干燥以制备最终将包含在硅化物区域中的金属(例如，钴(Co))的表面部分506。
清洁可以包括进行各向同性蚀刻，例如对随后的金属(例如，钴)溅射进行蒸气蚀刻预处理。例如，清洁可以包括使用稀氢氟酸(DHF)。
干燥可以包括将图5的结构暴露于热中。在一些实施例中，干燥动作可以不使用氯基蚀刻剂；因此，在干燥期间，第一金属氮化物侧壁衬里504的金属氮化物(例如，TiN)可能不会降解或被去除。
由于第一金属氮化物侧壁衬里504存在于介电衬里306和与开口502相邻的其它介电材料(例如，介电结构308、其它介电结构310)上，因此介电材料(包含介电衬里306)不暴露于清洁和干燥工艺并且因此不会受到介电材料的部分或全部的无意去除的威胁。因此，在清洁或干燥期间，开口502不会扩张。相反，在形成接触开口(例如，图3的接触开口302)之后执行清洁和干燥的常规方法存在去除相邻介电材料的部分或全部而导致接触开口的宽度无意扩张的风险，例如，如上文关于图1B所讨论的。
此外，由于第一金属氮化物侧壁衬里504存在于介电衬里306和其它介电材料上，介电衬里306例如在清洁和干燥之前不需要具有很大的厚度来补偿在例如清洁和干燥期间的材料损失。例如，在一些实施例中，介电衬里306在形成图3的接触开口302之后可以具有约2nm的厚度。在介电衬里306的这种相对较低厚度下，开口502(以及随后的导电接触结构)可以比使用厚介电衬里时的开口(以及随后的导电接触结构)更宽(例如，如上文讨论的图1C所示)，使得导电接触结构能够形成为具有比原本可能具有的电阻低的电阻，并且因此具有改进的性能。
仍进一步地，由于介电衬里306的厚度在例如清洁和干燥之前和之后保持相同或基本上相同，因此考虑到开口502的宽度，可以更精确地定制和/或控制介电衬里306的厚度以形成具有更精确地定制和/或控制宽度的导电接触结构。例如，如果开口502的宽度相对较窄，则例如在清洁和干燥之前，可以将介电衬里306的厚度定制为相对较薄，以使得随后能够在相对狭窄的开口内形成具有期望的足够宽度的导电接触结构。另一方面，如果开口502的宽度相对较宽，则例如在清洁和干燥之前，可以将介电衬里306的厚度定制为相对较厚，以使得随后能够在相对狭宽的开口内形成具有期望的足够宽度的导电接触结构。因此，与常规制造工艺相比，在例如清洁和干燥期间通过第一金属氮化物侧壁衬里504对介电衬里306的保护可以使得能够更精确地定制和/或控制导电接触结构的形成。
在清洁和干燥之后，在开口502的基底处的多晶硅结构304的至少表面部分506上形成(例如，通过溅射)金属602(最终包含在金属硅化物中)。金属602也可以形成于中间结构的上表面上，例如形成于介电衬里306、介电结构308和其它介电结构310的上表面上。第一金属氮化物侧壁衬里504的竖直表面可以基本上不具有金属602。
作为非限制性实例，金属602可以包括钴(Co)、钛(Ti)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、铂(Pt)、钌(Ru)和镍(Ni)中的一或多种。
将沿着多晶硅结构304的表面部分506的金属602暴露于例如快速热处理(RTP)中使得金属602与多晶硅结构304在表面部分506处反应以形成金属硅化物，如图7所展示。因此，在开口502的底部形成硅化物区域702，以至少部分地(例如，基本上)覆盖多晶硅结构304。硅化物区域702可以形成为表现出任何期望的高度(例如，竖直厚度)，并且硅化物区域702可以跨越至少开口502的宽度(例如，整个宽度)。在一些实施例中，硅化物区域702可以跨越多晶硅结构304的整个宽度。例如，硅化物区域702可以跨开口502的整个宽度以及例如在第一金属氮化物侧壁衬里504下方和在介电衬里306下方延伸。第一金属氮化物侧壁衬里504的竖直表面可以基本上不具有硅化物区域702的金属硅化物。
根据金属602的成分，硅化物区域702的金属硅化物可以包含以下中的一或多种或由以下中的一或多种形成：硅化钴(CoSi
金属602中未转化为硅化物区域702的金属硅化物的部分(以下称为金属602的“残余部分”)然后从例如结构的上表面去除，包含从第一金属氮化物侧壁衬里504、介电衬里306、介电结构308和其它介电结构310的上表面去除，如图8所展示。
金属602的残余部分(图6)可以通过例如蚀刻(例如，湿法剥离)，之后进行清洁动作(例如，用DHF)来去除。
因为第一金属氮化物侧壁衬里504在此残余物去除工艺期间就位，所以保护相邻介电材料(例如，介电衬里306、介电结构308和其它介电结构310)以防被去除；因此，与上文关于图1B所讨论的假想实施例不同，再次避免了无意的接触扩张。
参考图9，然后在所有暴露表面，包含在第一金属氮化物侧壁衬里504和硅化物区域702上形成(例如，共形形成)第二金属氮化物衬里902。因此，第二金属氮化物衬里开口904完全由第二金属氮化物衬里902限定。
由于在形成第一金属氮化物侧壁衬里504时第一金属氮化物衬里402(图4)的一部分被较早地去除，因此第二金属氮化物衬里902形成为与硅化物区域702直接接触。
第二金属氮化物衬里902可以通过例如金属(例如，Ti)的CVD连同氮化一起形成，以共形地形成金属氮化物材料作为第二金属氮化物衬里902。邻近硅化物区域702的第二金属氮化物衬里902也可以消除氧气。也就是说，在形成第二金属氮化物衬里902之前，天然氧气可能已经形成于暴露于开口502中的硅化物区域702的表面上(图5)。在一些实施例中，可以在形成第二金属氮化物衬里902之前执行清洁工艺以去除天然氧气。即使如此，残留量的氧气可能仍然存在，并且在此类情况下，在含有残留氧气的表面上形成第二金属氮化物衬里902的金属可以使金属消除(例如，吸收)残留氧气。因此，可以沿着硅化物区域702的上表面形成具有上述第二金属氮化物衬里902的薄金属氧化物。金属氧化物的存在可以在第二金属氮化物衬里902的金属的氮化(用于形成其金属氮化物材料)期间阻止硅化物区域702的金属硅化物的氮化。在此类实施例中，尽管如此，与在此类硅化物区域702上包含括广阔的绝缘衬里(例如，氧化膜)的结构相比，在金属硅化物(硅化物区域702的金属硅化物)与金属氮化物(第二金属氮化物衬里902的金属氮化物)之间存在少量的金属氧化物可以表现出较低的电阻。
参考图10，然后形成导电材料1002以填充图9的第二金属氮化物衬里开口904，从而形成具有导电接触结构1004的微电子装置结构1000。尽管未展示，但在随后的工艺中，微电子装置结构1000可以经受例如平坦化或其它材料去除动作，以将导电接触结构1004与相邻的可能已由导电材料1002同时形成的导电接触结构(例如，导电接触结构1004的另外的结构)电隔离。
导电材料1002可以由至少一种导电材料形成或包含所述至少一种导电材料，所述至少一种导电材料如金属、合金、导电金属氧化物、导电金属氮化物、导电金属硅化物和导电掺杂半导体材料中的一或多种。作为非限制性实例，导电材料10002可以由以下中的一或多种形成或包含以下中的一或多种：钨(W)、氮化钨(WN
在导电材料1002由钨(W)形成的实施例中，第一金属氮化物侧壁衬里504和第二金属氮化物衬里902的存在还保护相邻介电材料(例如，介电衬里306等)在使用如六氟化钨(WF
位于导电材料1002与硅化物区域702之间(例如，直接位于两者之间)的第二金属氮化物衬里902可以充当屏障材料，从而阻止导电材料1002的原子横穿硅化物区域702。
由于较早去除第一金属氮化物衬里402(图4)的下部分以形成第一金属氮化物侧壁衬里504，因此在导电材料1002与硅化物区域702之间只有一个金属氮化物衬里，即第二金属氮化物衬里902。相反，以上关于图1A到图1C描述的假想实施例在硅化物区域106与导电接触结构102之间包含多个金属氮化物衬里(例如，第一金属氮化物衬里108和第二金属氮化物衬里110)。因此，导电材料1002和硅化物区域702可以比根据图1A到图1C的假想实施例彼此更接近，这可以使导电材料1002与硅化物区域702之间实现更大的电连通。在导电材料1002与硅化物区域702之间仅允许使用一个金属氮化物衬里(例如，第二金属氮化物衬里902)，至少是因为金属氮化物衬里也可以充当屏障材料。
相应地，公开了一种形成微电子装置的方法。所述方法包括形成穿过至少一种介电材料的开口以暴露多晶硅结构的表面。在所述开口中形成第一金属氮化物衬里。在形成所述第一金属氮化物衬里之后，清洁和干燥所述多晶硅结构的所述表面。在所述多晶硅结构的所述表面形成金属硅化物区域。在所述第一金属氮化物衬里上和所述金属硅化物区域上形成第二金属氮化物衬里。用导电材料填充覆盖所述第二金属氮化物衬里的所述开口的剩余部分，以形成导电接触结构。
并且，公开了一种微电子装置，所述微电子装置包括金属硅化物材料上的至少一个导电接触结构。第一金属氮化物衬里位于所述至少一个导电接触结构的竖直侧壁上。第二金属氮化物衬里位于所述导电接触结构与所述金属硅化物材料之间。
本公开的方法还可以用于形成其它导电接触结构，如外围接触结构，如图11到18所展示。
参考图11，通过至少一种介电材料，如介电填充结构1104(例如，由SiO
在尚未处理(例如，清洁、干燥)暴露于接触开口1102中的表面的情况下，至少在限定接触开口1102的表面上形成第一金属氮化物衬里1204(例如，以与以上关于形成图4的第一金属氮化物衬里402的方式相同的方式)，从而形成第一衬里接触开口1202。第一金属氮化物衬里1204与多晶硅结构1112以及介电填充结构1104、上部介电结构1106、其它介电结构1108和另外的介电结构1110直接物理接触。
从第一衬里接触开口1202中的每一个去除第一金属氮化物衬里1204的一部分(例如，以与以上关于形成图5的第一金属氮化物侧壁衬里504的方式相同的方式)以形成如图13所展示的沿着开口1302中的每一个的侧边具有第一金属氮化物侧壁衬里1304的开口1302。因此，多晶硅结构1112的表面部分1306暴露于开口1302中的每一个内。
在第一金属氮化物侧壁衬里1304就位的情况下，相邻介电材料(例如，介电填充结构1104、上部介电结构1106、其它介电结构1108和另外的介电结构1110的相邻介电材料)被覆盖并且不暴露于开口1302中。进行清洁和干燥(例如，以与以上关于图5所描述的方式相同的方式)，在此期间，第一金属氮化物侧壁衬里1304防止相邻介电材料被去除，并且因此防止如上文关于图2B所讨论的类似的无意接触扩张。
与上文所讨论的图2C的假想实施例不同，包含图13的方法可以不包含第一金属氮化物侧壁衬里1304与介电填充结构1104之间的另外的介电衬里(例如，SiN衬里)。因此，如上文关于图2C所讨论的，避免了接触减少的风险。
在清洁和干燥之后，如图14所展示的，例如以与以上关于图6所描述的方式相同的方式形成用于金属硅化物的金属602。
与多晶硅结构1112接触的金属602被例如以与以上关于图7所描述的方式相同的方式转化成金属硅化物，从而在开口1302中的每一个中形成硅化物区域1502，如图15所展示。硅化物区域1502可以至少具有开口1302中的每一个的宽度(例如，整个宽度)。硅化物区域1502的金属硅化物也可以在第一金属氮化物侧壁衬里1304的下方延伸。
然后，以与以上关于图8所描述的方式相同的方式去除例如上部介电结构1106和第一金属氮化物侧壁衬里1304的上表面上的金属602的残余部分。与以上关于图2B所描述的假想实施例不同，在残余物去除动作期间，在第一金属氮化物侧壁衬里1304就位的情况下，相邻介电材料(例如，介电填充结构1104、上部介电结构1106、其它介电结构1108和另外的介电结构1110)被保护以防止被去除，从而再次避免了无意的接触扩张。
在图16的结构的开口1302和任选地其它暴露表面内形成如图17所展示的第二金属氮化物衬里1702。第二金属氮化物衬里1702可以例如以与以上关于图9的第二金属氮化物衬里902所描述的方式相同的方式形成。第二金属氮化物衬里1702与硅化物区域1502直接接触，并且第二金属氮化物衬里开口1704完全由第二金属氮化物衬里1702限定。
参考图18，然后形成导电材料1002以填充图17的第二金属氮化物衬里开口1704中的每一个并且以例如与以上关于图10所描述的方式相同的方式形成导电接触结构1802(例如，外围接触结构)。尽管未展示，但后续加工可以包含平坦化以将导电接触结构1802中的每一个彼此电隔离。
位于硅化物区域1502与导电接触结构1802的导电材料1002之间(例如，直接位于两者之间)的第二金属氮化物衬里1702可以充当屏障材料，从而阻止导电材料1002的原子横穿硅化物区域1502。
图18的微电子装置结构1800仅包含安置于硅化物区域1502与导电接触结构1802之间的一个金属氮化物衬里(例如，第二金属氮化物衬里1702)。
相应地，公开了一种形成微电子装置的方法。所述方法包括形成穿过至少一种介电材料的接触开口以暴露多晶硅结构的表面部分。在所述接触开口中形成第一金属氮化物衬里而不清洁且不干燥所述多晶硅结构的所述表面部分。去除所述第一金属氮化物衬里的一部分以重新暴露所述多晶硅结构的所述表面部分。清洁和干燥所述多晶硅结构的所述表面部分，并且在所述多晶硅结构的所述表面部分形成硅化物区域。在所述硅化物区域上形成第二金属氮化物衬里，并且在所述第二金属氮化物衬里上形成导电接触结构。
还公开了一种微电子装置，所述微电子装置包括与电绝缘导电区域侧向邻近的导电接触结构。硅化物区域位于所述导电接触结构下方。单个金属氮化物衬里直接位于所述硅化物区域与所述导电接触结构之间。
图19展示了根据本公开实施例的采用存储器装置1900(例如，DRAM装置)的形式的微电子装置的功能性框图。存储器装置1900可以包含例如本文先前描述的设备(例如，图10的微电子装置结构1000、图18的微电子装置结构1800)之一的实施例。如图19所示，存储器装置1900可以包含存储器单元1902、数位线1904、字线1906、行解码器1908、列解码器1910、存储器控制器1912、读出装置1914和输入/输出装置1916。
存储器装置1900的存储器单元1902可编程为至少两种不同的逻辑状态(例如，逻辑0和逻辑1)。本文先前描述的设备(例如，图10的微电子装置结构1000、图18的微电子装置结构1800)的部分可以形成存储器装置1900的存储器单元1902的部分。存储器单元1902中的每一个可以单独地包含存储节点结构和晶体管。存储节点结构存储代表存储器单元1902的可编程逻辑状态的电荷(例如，充电的电容器可以代表第一逻辑状态，如逻辑1；并且未充电的电容器可以代表第二逻辑状态，如逻辑0)。在将最小阈值电压施加到晶体管的半导体沟道时，晶体管准许访问电容器，以对存储节点结构进行操作(例如，读取、写入、重写)。
数位线1904通过存储器单元1902的晶体管连接到存储器单元1902的存储节点结构。字线1906垂直于数位线1904延伸并且连接到存储器单元1902的晶体管的栅极(例如，图18的栅极1114)。可以通过激活适当的数位线1904和字线1906来对存储器单元1902执行操作。激活数位线1904之一或字线1906之一可以包含向数位线1904之一或字线1906之一施加电压电位。存储器单元1902的每一列可以单独连接到数位线1904之一，并且存储器单元1902的每一行可以单独连接到字线1906之一。可以通过数位线1904和字线1906的交叉(例如，交叉点)来寻址和访问各个存储器单元1902。
存储器控制器1912可以通过各种组件控制存储器单元1902的操作，所述组件包含行解码器1908、列解码器1910和读出装置1914。存储器控制器1912可以生成定向到行解码器1908以激活预定字线1906(例如，向其施加电压电位)的行地址信号，并且可以生成定向到列解码器1910以激活预定数位线1904(例如，向其施加电压电位)的列地址信号。存储器控制器1912还可以生成和控制在存储器装置1900的操作期间采用的各种电压电位。通常，可以调整(例如，改变)所施加电压的振幅、形状和/或持续时间，并且所述振幅、形状和/或持续时间对于存储器装置1900的各种操作可以是不同的。
在存储器装置1900的使用和操作期间，存储器单元1902之一可以在被访问之后被读出装置1914读取(例如，读出)。读出装置1914可以将数位线1904中一个适当的数位线的信号(例如，电压)与参考信号进行比较，以便确定存储器单元1902之一的逻辑状态。例如，如果数位线1904之一的电压比参考电压高，则读出装置1914可以确定存储器单元1902的所存储逻辑状态是逻辑1，并且反之亦然。读出装置1914可以包含晶体管和放大器，以检测和放大信号的差异(在本领域中通常称为“锁存”)。存储器单元1902中的存储器单元的检测到的逻辑状态可以通过列解码器1910输出到输入/输出装置1916。另外，可以通过以类似方式激活存储器装置1900的字线1906中一个适当的字线和数位线1904中一个适当的数位线来设置存储器单元1902中的存储器单元(例如，对其进行写入)。可以通过在激活字线1906的同时控制数位线1904之一来设置存储器单元1902之一(例如，可以将逻辑值存储于存储器单元1902之一中)。列解码器1910可以接受来自输入/输出装置1916的数据以将其写入存储器单元1902。此外，还可以通过读取存储器单元1902中的所述存储器单元中的每一个来刷新(例如，充电)存储器单元1902中的存储器单元。读取操作将把存储器单元1902中的所述存储器单元的内容放置在数位线1904中一个适当的数位线上，所述数位线然后由读出装置1914上拉到全电平(例如，完全充电或完全放电)。当与存储器单元1902中的所述存储器单元相关联的字线1906之一去激活时，与字线1906之一相关联的行中的所有存储器单元1902恢复到完全充电或完全放电。
可以将根据本公开的实施例的设备(例如，图10的微电子装置结构1000、图18的微电子装置结构1800)和微电子装置(例如，图19的存储器装置1900)用于本公开的电子系统的实施例。例如，图20是根据本公开的实施例的说明性电子系统2000的框图。电子系统2000可以包括以下中的一或多个：例如计算机或计算机硬件组件、服务器或其它联网硬件组件、蜂窝电话、数码相机、个人数字助理(PDA)、便携式媒体(例如，音乐)播放器、Wi-Fi或支持蜂窝的平板电脑，例如，
相应地，公开了一种电子系统，所述电子系统包括至少一个存储器装置、至少一个电子信号处理器、至少一个输入装置和至少一个输出装置。所述至少一个存储器装置包括与至少一个存储器单元可操作地通信的至少一个数位线和至少一个字线。所述至少一个存储器单元包括金属氮化物衬里内的至少一个导电接触结构。所述金属氮化物衬里包括第一金属氮化物衬里和第二金属氮化物衬里。所述至少一个存储器单元还包括多晶硅结构上的金属硅化物材料。所述第二金属氮化物衬里直接安置于所述金属硅化物材料与所述至少一个导电接触结构之间。所述至少一个电子信号处理器与所述至少一个存储器装置可操作地连接。所述至少一个输入装置与所述至少一个电子信号处理器可操作地通信。所述至少一个输出装置与所述至少一个输入装置可操作地通信。
与常规方法、常规设备、常规装置和常规电子系统相比，本公开的方法、设备(例如，结构)、装置(例如，微电子装置，如存储器装置，如DRAM装置)和电子系统可以促进提高性能、提高效率、提高可靠性和提高耐久性中的一或多个。
非限制性示例实施例可以以单独或组合形式包含以下：
实施例1：一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：形成穿过至少一种介电材料的开口以暴露多晶硅结构的表面；在所述开口中形成第一金属氮化物衬里；在形成所述第一金属氮化物衬里之后，清洁和干燥所述多晶硅结构的所述表面；在所述多晶硅结构的所述表面形成金属硅化物区域；在所述第一金属氮化物衬里上和所述金属硅化物区域上形成第二金属氮化物衬里；以及用导电材料填充覆盖所述第二金属氮化物衬里的所述开口的剩余部分，以形成导电接触结构。
实施例2：根据实施例1所述的方法，其中在形成所述开口与形成所述第一金属氮化物衬里之间不执行清洁或干燥。
实施例3：根据实施例1和2中任一项所述的方法，其中形成所述第一金属氮化物衬里包括在所述至少一种介电材料的竖直侧壁上形成金属氮化物材料。
实施例4：根据实施例3所述的方法，其中在所述至少一种介电材料的所述竖直侧壁上形成所述金属氮化物材料包括：在所述至少一种介电材料的所述竖直侧壁上和所述多晶硅结构的所述表面上形成所述金属氮化物材料；以及去除所述金属氮化物材料的与所述多晶硅结构的所述表面邻近的一部分，以重新暴露所述开口内的所述多晶硅结构的所述表面。
实施例5：根据实施例1到4中任一项所述的方法，其中形成所述第二金属氮化物衬里包括通过化学气相沉积和氮化形成金属氮化物材料。
实施例6：根据实施例1到5中任一项所述的方法，其中在清洁和干燥所述多晶硅结构的所述表面期间，所述第一金属氮化物衬里安置于所述开口与所述至少一种介电材料之间。
实施例7：根据实施例1到6中任一项所述的方法，其中在清洁和干燥所述多晶硅结构的所述表面期间，所述开口的宽度保持基本上恒定。
实施例8：根据实施例1到7中任一项所述的方法，其中形成所述金属硅化物区域包括：将金属溅射到所述多晶硅结构的所述表面上；以及将所述金属转化为金属硅化物，以在所述多晶硅结构的所述表面形成所述金属硅化物区域。
实施例9：根据实施例8所述的方法，其进一步包括在将所述金属转化为所述金属硅化物之后，去除所述金属的残余部分而不扩大所述开口的宽度。
实施例10：一种微电子装置，其包括：金属硅化物材料上的至少一个导电接触结构；所述至少一个导电接触结构的竖直侧壁上的第一金属氮化物衬里；以及介于所述导电接触结构与所述金属硅化物材料之间的第二金属氮化物衬里。
实施例11：根据实施例10所述的微电子装置，其进一步包括与所述第一金属氮化物衬里邻近的至少一种介电材料。
实施例12：根据实施例10和11中任一项所述的微电子装置，其中所述第一金属氮化物衬里不在所述至少一个导电接触结构下方延伸。
实施例13：根据实施例10到12中任一项所述所述的微电子装置，其中：所述金属硅化物材料包括硅化钴；所述第一金属氮化物衬里和所述第二金属氮化物衬里包括氮化钛；并且所述导电接触结构包括钨。
实施例14：根据实施例10到13中任一项所述所述的微电子装置，其中所述第二金属氮化物衬里从所述导电接触结构与所述金属硅化物区域延伸并在其间延伸。
实施例15：根据实施例10到14中任一项所述所述的微电子装置，其中所述微电子装置包括动态随机存取存储器装置。
实施例16：一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：形成穿过至少一种介电材料的接触开口以暴露多晶硅结构的表面部分；在所述接触开口中形成第一金属氮化物衬里而不清洁且不干燥所述多晶硅结构的所述表面部分；去除所述第一金属氮化物衬里的一部分以重新暴露所述多晶硅结构的所述表面部分；清洁和干燥所述多晶硅结构的所述表面部分；在所述多晶硅结构的所述表面部分形成硅化物区域；在所述硅化物区域上形成第二金属氮化物衬里；以及在所述第二金属氮化物衬里上形成导电接触结构。
实施例17：根据实施例16所述的方法，其中：形成所述第一金属氮化物衬里包括形成包括氮化钛的所述第一金属氮化物衬里；并且形成所述第二金属氮化物衬里包括形成包括另外的氮化钛的所述第二金属氮化物衬里。
实施例18：根据实施例16和17中任一项所述的方法，其进一步包括形成包括至少一个二氧化硅区域和至少一个其它的氮化硅区域的所述至少一种介电材料。
实施例19：根据实施例16到18中任一项所述的方法，其中在所述多晶硅结构的所述表面部分形成所述硅化物区域包括形成跨越所述多晶硅结构的所述表面部分的整个宽度的所述硅化物区域。
实施例20：根据实施例16到19中任一项所述的方法，其中在所述多晶硅结构的所述表面部分形成所述硅化物区域包括形成在所述第一金属氮化物衬里下方延伸的所述硅化物区域。
实施例21：一种微电子装置，其包括：与电绝缘导电区域侧向邻近的导电接触结构；所述导电接触结构下方的硅化物区域；以及直接位于所述硅化物区域与所述导电接触结构之间的单个金属氮化物衬里。
实施例22：根据实施例21所述的微电子装置，其进一步包括侧向包围所述导电接触结构的另外的金属氮化物衬里。
实施例23：根据实施例22所述的微电子装置，其中所述硅化物区域在所述另外的金属氮化物衬里下方延伸。
实施例24：一种电子系统，其包括：至少一个存储器装置，所述至少一个存储器装置包括与至少一个存储器单元可操作地通信的至少一个数位线和至少一个字线，所述至少一个存储器单元包括：金属氮化物衬里内的至少一个导电接触结构，所述金属氮化物衬里包括第一金属氮化物衬里和第二金属氮化物衬里；以及多晶硅结构上的金属硅化物材料，所述第二金属氮化物衬里直接安置于所述金属硅化物材料与所述至少一个导电接触结构之间；至少一个电子信号处理器，所述至少一个电子信号处理器与所述至少一个存储器装置可操作地连接；至少一个输入装置，所述至少一个输入装置与所述至少一个电子信号处理器可操作地通信；以及至少一个输出装置，所述至少一个输出装置与所述至少一个输入装置可操作地通信。
实施例25：根据实施例24所述的电子系统，其中所述至少一个存储器装置包括至少一个DRAM装置。
虽然本公开易受到各种修改和替代形式的影响，但是已经在附图中通过举例示出并且已经在本文中详细描述了特定实施例。然而，本公开并不旨在受限于所公开的特定形式。相反，本公开将覆盖落入由以下所附权利要求和其法律等效物所限定的本公开的范围内的所有修改、等效物和替代物。
机译： 用于可靠地形成具有导电触点的微电子器件与硅化物区，以及相关装置
机译： 用于可靠地形成具有导电触点的微电子器件与硅化物区，以及相关系统
机译： 具有导电触点的微电子器件以及硅化物区，以及相关装置
