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公开/公告号CN112607778A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-06
原文格式PDF
申请/专利权人 东南大学;
申请/专利号CN202011621439.8
发明设计人 刘磊;焦松龙;吕俊;孔孟书;
申请日2020-12-31
分类号C01G39/06(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11467 北京德崇智捷知识产权代理有限公司;
代理人王斌
地址 211100 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
入库时间 2023-06-19 10:30:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-14
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01G39/06 专利申请号:2020116214398 申请公布日:20210406
发明专利申请公布后的驳回
机译: 具有无机富勒烯型结构的二硫化钼和钨纳米管的制备方法。
机译: 一种能够将碳纳米管分散成氯化物溶剂的交联碳纳米管的制备方法,是通过1,3-环开口增加反应将复合侧与碳纳米管交联,然后加热
机译: 一种细分的二硫化钼的制备方法
机译:二硫化钼/多壁碳纳米管同轴纳米管的合成与表征
机译:一种合成二硫化钼纳米管和富勒烯状纳米结构的新途径
机译:基于多壁碳纳米管的食品样品中噻苯唑残留物的高敏感性检测装饰了二维分层二硫化钼
机译:有望在骨组织工程中用作增强剂:无机二硫化钼二硫化钼纳米片和二硫化钨纳米管的细胞相容性
机译:一维单壁碳纳米管和二维二硫化钼的光谱学和光电性能及其在能量存储,光检测和化学传感中的应用
机译:脱落的二硫化钼为制造平台碳纳米管的生长—性能和表征
机译:将钼二硫化钼作为碳纳米管生长性能和表征的平台
机译:单壁碳纳米管电化学电容器电极制备方法的比较