首页> 中国专利> 一种钯原位修饰铜钴掺杂二氧化铈纳米球的制备方法

一种钯原位修饰铜钴掺杂二氧化铈纳米球的制备方法

摘要

本发明提供了一种钯原位修饰铜钴掺杂二氧化铈纳米球的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。在该发明过程中,利用溶剂热法,以乙二醇为溶剂,经过高温高压反应得到铜钴双掺杂球形二氧化铈纳米球;用化学还原的方法将氯钯酸钠中的钯元素原位修饰到铜钴双掺杂二氧化铈纳米球表面得到钯原位修饰铜钴掺杂二氧化铈纳米球。钯原位修饰铜钴掺杂二氧化铈纳米球形貌规整,尺寸均一,在有机溶剂中具有良好的分散性,其较好的微观结构在改善二氧化铈催化活性,使其在电化学生物传感器的构造中具有重要的意义,并具有提高电化学生物传感器灵敏度的巨大潜力。

著录项

  • 公开/公告号CN112547094A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 济南大学;

    申请/专利号CN202110000804.1

  • 发明设计人 崔康;李旭;周晨曦;于京华;

    申请日2021-01-04

  • 分类号B01J23/89(20060101);B01J35/08(20060101);B01J37/08(20060101);B01J37/16(20060101);B82Y40/00(20110101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 250022 山东省济南市南辛庄西路336号济南大学西校区

  • 入库时间 2023-06-19 10:25:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B01J23/89 专利申请号:2021100008041 申请公布日:20210326

    发明专利申请公布后的视为撤回

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