一种MEMS探针激光刻蚀电机与四维台驱动方法

摘要

本发明一种MEMS探针激光刻蚀电机与四维台驱动方法属于半导体加工测试技术领域；所述MEMS探针激光刻蚀电机与四维台驱动方法由单晶硅圆片的刻蚀间距，得到电机的步进角度，四维台向上或向下移动距离，向左或向右移动距离，顺时针或逆时针转动角度；所述四维台移动方向和转动方向由电机的转动方向决定；本发明MEMS探针激光刻蚀电机与四维台驱动方法，用在本发明所公开的MEMS探针激光刻蚀装置与方法中，不仅刻蚀精度更高，而且刻蚀间距能够连续调节。