公开/公告号CN112422858A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-26
原文格式PDF
申请/专利权人 半导体元件工业有限责任公司;
申请/专利号CN202010831890.6
发明设计人 R·潘尼卡西;
申请日2020-08-18
分类号H04N5/378(20110101);H04N5/232(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人张丹
地址 美国亚利桑那
入库时间 2023-06-19 10:00:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-02-24
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H04N 5/378 专利申请号:2020108318906 申请公布日:20210226
发明专利申请公布后的视为撤回
机译: 具有双电势阱,双转移栅电极和双浮置扩散区的固态图像拾取装置和像素信号读出方法,分别用于分别转移和存储电荷
机译: 用于电子开关设备的功率FET,用于控制例如机动车辆的电气系统,具有在沟道区域和控制栅电极之间延伸的浮栅电极
机译: 固态成像设备,用于控制从第一区域和第二区域中的像素读取信号