一种采用气固并流下行床反应器的多晶硅冷氢化方法

摘要

本发明公开了采用气固并流下行床反应器的多晶硅冷氢化方法，步骤：将硅粉和固体催化剂与预热的H2和经预热汽化的SiCl4气体由所述反应器的上部加入，反应，得到含有SiHCl3的气固混合物由所述反应器底部采出并进入气固分离器进行分离；分别得到携带杂质的SiHCl3气体送往下游分离精制工段，分离得到的硅粉与固体催化剂混合物重新从所述反应器的上部通入。本发明消除了上行流化床反应器的气固环核结构，反应充分均匀，效率高。硅粉和催化剂在反应时被带出较少，循环利用，硅粉的利用率较高，大大的减少了渣浆的产生量。本发明SiHCl3的单程收率提高到30％以上。具有操作简便、高效节能和经济环保的优点。