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一种非制冷红外探测器及其像元、参考元以及其制备方法

摘要

本发明涉及一种非制冷红外探测器及其像元、参考元以及其制备方法,像元包括衬底以及桥面层,衬底上端的左右两侧分别设有桥腿,桥腿通过第一支撑腿支撑在衬底上端,桥面层的左右两侧分别通过第二支撑腿对应支撑在左右两侧的桥腿上端,衬底的上端面上设有反射层,反射层与桥面层之间形成谐振腔,桥面层、桥腿、第一支撑腿、第二支撑腿内均设有导电材料,桥面内的导电材料分别与热敏感层、第二支撑腿内的导电材料电连接,第二支撑腿内的导电材料与桥腿内的导电材料电连接,桥腿内的导电材料通过第一支撑腿内的导电材料与衬底的读出电路电连接。本发明设计和制备了高性能小尺寸非制冷红外芯片,有效的提高了非制冷红外芯片性能。

著录项

  • 公开/公告号CN112362169A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉鲲鹏微纳光电有限公司;

    申请/专利号CN202010941154.6

  • 申请日2020-09-09

  • 分类号G01J5/22(20060101);B81B7/02(20060101);B81C1/00(20060101);

  • 代理机构11228 北京汇泽知识产权代理有限公司;

  • 代理人代婵

  • 地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新三路27号5号楼510室

  • 入库时间 2023-06-19 09:52:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-01-28

    著录事项变更 IPC(主分类):G01J 5/22 专利申请号:2020109411546 变更事项:发明人 变更前:洪立福陈丹马占锋高健飞黄立 变更后:黄立洪立福陈丹马占锋高健飞

    著录事项变更

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