一种铸锭单晶或多晶非晶硅异质结太阳电池的制作方法

摘要

本发明涉及一种以铸锭单晶或多晶为衬底的非晶硅异质结太阳电池片的制作方法，它包括以下步骤：1)将铸锭单晶(或多晶)硅片进行单面抛光制绒；2)在制绒面上形成第一钝化层；3)在第一钝化层上形成本征多晶硅层；4)硅片两面进行磷扩散处理；5)去除扩散层；6)在去除扩散层后的一面形成第二钝化层；7)在硅片两面沉积透明导电膜层；8)在硅片的正反面上形成金属电极。本发明中用薄氧化层叠加多晶掺磷层取代传统的非晶硅本征层和掺磷层，用多晶硅薄膜取代非晶硅薄膜，降低材料的吸光系数，同时提高背电场的导电性，有利于提高电池的短路电流和填充因子。