用以最优化形成衍射光学元件光栅的系统与方法

摘要

公开了光栅构件及形成方法。在一些实施例中，一种方法包括在衬底顶部提供蚀刻终止层；以及在所述蚀刻终止层顶部提供光栅层。所述方法还可包括在所述光栅层之上提供图案化掩模层；以及对所述光栅层及所述图案化掩模层进行蚀刻以在所述光栅层中形成光栅。所述光栅可包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置，并且其中所述蚀刻在所述多个成角构件之间的所述蚀刻终止层中形成过蚀刻区域。

说明书

技术领域

本公开涉及光学元件，且更具体来说，涉及用以最优化形成衍射光学元件中的光栅的方式。

背景技术

出于各种优势，一直以来使用例如光学透镜等光学元件来操纵光。近来，已在全息(holographic)及增强/虚拟实境(augmented/virtual reality，AR及VR)装置中使用微衍射光栅。

一种特定的增强/虚拟实境装置是一种穿戴式显示系统，例如被设置成在距离人眼的短距离内显示图像的头戴装置。此种穿戴式头戴装置有时被称为头戴式显示器，且设置有在距用户的眼睛的若干厘米内显示图像的框架。所述图像可为在显示器(例如，微显示器)上的由计算机产生的图像。对光学构件进行排列以将期望图像的光(其中所述光是在显示器上产生的)传输到用户的眼睛，使得所述图像对所述用户来说是可见的。产生图像的显示器可形成光引擎的一部分，因此图像产生准直光束，所述准直光束由光学构件引导以提供对用户来说可见的图像。

已使用不同种类的光学构件来将图像自显示器传递到人眼。为在增强实境透镜或组合器中恰当地发挥作用，光栅的几何形状可被设计成实现各种效果。在一些装置中，在透镜的表面上形成多个不同的区(例如，二个或更多个不同的区)，其中在一个区中的光栅几何形状与在其他区中的光栅几何形状不同。举例来说，许多已知的装置包括三个元件：入耦合器(incoupler)、水平扩展器(horizontal expander)以及出耦合器(outcoupler)。为提供该些不同的区，在不同的区中使用不同的蚀刻对光栅进行蚀刻使得光栅的几何形状在不同的区中可不同。由于处理复杂性，实现具有成角光栅的光学构件的最佳参数是未知的。

因此，针对至少上述缺陷提供了本公开。

发明内容

在一个实施例中，一种形成光栅构件的方法可包括：在衬底顶部提供蚀刻终止层；在所述蚀刻终止层顶部提供光栅层；以及在所述光栅层之上提供图案化掩模层。所述方法还可包括：对所述光栅层及所述图案化掩模层进行蚀刻以在所述光栅层中形成光栅。所述光栅包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置，并且其中所述蚀刻使得在所述蚀刻终止层中形成过蚀刻区域。

在另一实施例中，一种形成光栅构件的方法可包括：在衬底顶部提供蚀刻终止层；在所述蚀刻终止层顶部提供光栅层；以及在所述光栅层之上提供图案化掩模层。所述方法还可包括：对所述光栅层及所述图案化掩模层进行蚀刻以在所述光栅层中形成光栅。所述光栅包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置。所述蚀刻在所述多个成角构件之间的所述蚀刻终止层中形成过蚀刻区域。

在又一实施例中，一种形成增强实境/虚拟实境装置的方法可包括：在衬底顶部提供蚀刻终止层；在所述蚀刻终止层顶部提供光栅层；以及在所述光栅层之上提供图案化掩模层。所述方法还可包括对所述光栅层及所述图案化掩模层进行蚀刻以在所述光栅层中形成光栅。所述光栅包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置。所述蚀刻形成凹陷到所述多个成角构件之间的所述蚀刻终止层中的过蚀刻区域。

附图说明

附图示出本公开的示例性方式，包括本公开的原理的实际应用，附图如下所示：

图1A示出根据本公开的实施例一种光栅构件的侧面剖视图。

图1B示出根据本公开的实施例图1A所示光栅构件的俯视平面图。

图2A示出根据本公开的实施例以示意图形式示出的处理设备。

图2B根据本公开的实施例在俯视平面图中示出提取板构件以及衬底。

图3示出根据本公开的实施例，在光栅构件的光栅层中形成的成角结构的侧面剖视图。

图4是根据本公开的实施例，展示成角结构的侧壁的选择性输入对输出角度的曲线图。

图5A到5D示出根据本公开的实施例在制作光栅时的各种阶段。

图6A到6B示出根据本公开的实施例形成图5D所示的光栅构件。

图7A是示出根据本公开的实施例的各种离子束角度扩展的侧面剖视图。

图7B是示出利用根据本公开的实施例的图7A所示各种离子束角度扩展形成的多个成角结构的侧面剖视图。

图8示出根据本公开的实施例的流程图。

附图未必是按比例绘制。附图仅为代表性图，而非旨在描绘本发明的具体参数。附图旨在示出本发明的示例性实施例，且因此不应被视为在范围上具有限制性。在附图中，相同的编号表示相同的元件。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图来更充分地阐述根据本发明的实施例，在附图中示出了一些实施例。本发明的主题可实施为许多不同的形式，而不应被视为仅限于本文中所述的实施例。提供该些实施例是为了使本发明将为透彻及完整的，且将向所属领域中的技术人员充分地传达所述主题的范围。在附图中，相同的编号在通篇中表示相同的元件。

如本文中所使用，以单数形式叙述且跟在词“一个(a或an)”后面的元件或操作被理解为可能包括多个元件或操作，除非另外指明。此外，本公开所提及的“一个实施例”或“一些实施例”可被解释为包括同样包含所叙述特征的另外实施例的存在。

此外，用语“接近(approximate)”或“近似(approximately)”可在一些实施例中互换使用，并且可使用所属领域中的技术人员可接受的任何相关测量来描述。举例来说，该些用语可用作与参考参数的比较，以指示能够提供预期功能的偏差。尽管并非是限制性的，但与参考参数的偏差可以是例如小于1％、小于3％、小于5％、小于10％、小于15％、小于20％等的量。

本文中的实施例提供新颖的光学构件及系统以及形成光学构件的方法。各种实施例与衍射光学元件相关，其中用语“光栅构件”指具有光栅的装置或构件，包括AR&VR头戴装置、用于AR&VR的目镜、或形成用于目镜(例如，眼镜)的光栅的主站(master)。

图1A示出根据本公开的实施例一种光栅构件100的侧面剖视图。图1B示出光栅构件100的俯视平面图。根据本公开的各种实施例，光栅构件100可用作待被放置在眼镜上或与眼镜一体成型的光栅。光栅构件100包括衬底102以及设置在衬底102上的光栅106。在一些实施例中，衬底102是透光材料，例如已知的玻璃。在一些实施例中，衬底102是硅。在后面的情形中，衬底102是硅，且使用另一工艺来将光栅图案转移到另一光学衬底(例如，玻璃或石英)的表面上的膜。所述实施例并不仅限于此上下文中。光栅106可设置在光栅层107中，如以下进一步阐述。在图1A及图1B所示的实施例中，光栅构件100还包括设置在衬底102与光栅层107之间的蚀刻终止层104。根据本公开的一些实施例，光栅层107可为透光材料，例如氧化硅、氮化硅、玻璃、TiO

根据本公开的一些实施例，光栅106可包括处于100nm到1000nm范围内的光栅高度H。因此，光栅106可适用于AR&VR设备的目镜。所述实施例并不仅限于此上下文中。根据一些实施例，蚀刻终止层104可为透光材料且可具有10nm到100nm的厚度。所述实施例并不仅限于此上下文中。用于蚀刻终止层104的适当材料的例子包括SiN、SiO

如在图1A中进一步所示，光栅106可包括被示出为成角结构112的多个成角结构，所述多个成角结构相对于衬底102的平面的垂直线以非零倾斜角设置。成角结构112可包括在一个或多个倾斜光栅场中，所述倾斜光栅一起形成“微透镜”。如下文将更详细地描述，每个成角结构112的侧壁113及115可因对束选择性、束角度扩展、束角度平均值等进行修改而在角度(例如，相对于衬底102的平面的垂直线)及形状上改变。如下文将更详细地描述，每个成角结构112的侧壁113和115的角度可进一步基于成角结构112与形成在成角结构112之上的掩模层之间的选择性而改变。在本文中所述的选择性可以是形成有成角结构112的光栅层的材料、蚀刻离子的化学特性以及例如束强度、不同气体的相对压力及温度等工具参数的乘积。

在成角结构112之间存在多个沟渠114。成角结构112可被排列成沿第一方向界定均匀或可变高度。在图1A所示的例子中，成角结构112沿与所示笛卡尔坐标系的Y轴平行的方向界定均匀高度，在所述笛卡尔坐标系中第一方向(Y轴)平行于衬底102的平面(在此种情形中为X-Y平面)。在其他实施例中，成角结构112可沿平行于Y轴的方向界定可变高度。

光栅106沿Y方向的宽度可大约为数毫米到数厘米，而光栅高度H可大约为1微米或小于1微米。因此，光栅高度H的变化可介于大约数百纳米或小于数百纳米。光栅高度H或深度d的平滑变化的例子是相邻光栅线之间的光栅高度H或深度d的变化小于10％、小于5％或小于1％。所述实施例并不仅限于此上下文中。因此，在目镜中，光栅高度H可在给定方向上沿目镜的表面在例如数毫米到数厘米的距离上连续地且以不骤然变化的方式变化。更具体来说，在5mm距离上光栅高度H变化50％可引起在具有一微米节距的近似5×10

现在转到图2A，图2A示出了以示意图形式示出的处理设备200。处理设备200代表用于蚀刻衬底的一些部分或在衬底上进行沉积以产生例如本公开实施例的光栅的处理设备。处理设备200可为等离子体类的处理系统，所述等离子体类的处理系统具有等离子体室202用于通过所属领域中已知的任意方便方法在其中产生等离子体204。可如图所示提供具有提取孔隙208的提取板206，其中可执行不均匀的蚀刻或不均匀的沉积以反应性地蚀刻或沉积光栅层107(图1A到1B)。包括例如上述光栅结构的衬底102设置在处理室224中。衬底102的衬底平面由所示笛卡尔坐标系的X-Y平面表示，而衬底102的平面的垂直线沿Z轴(Z方向)放置。

如进一步在图2A中所示，当利用偏压电源220在等离子体室202与衬底102(或衬底台板(substrate platen)214)之间施加电压差时可提取出离子束210，如在已知的系统中。偏压电源220可耦合到处理室224，例如其中处理室224与衬底102保持在相同的电势。

根据各种实施例，可沿垂直线226提取离子束210，或可相对于垂直线226以非零入射角(被示出为φ)提取离子束210。

离子束210内离子的轨迹可彼此平行或可位于窄的角扩展范围(例如，彼此位于10度或小于10度的角扩展范围)内。在其他实施例中，如下文将论述，离子束210内离子的轨迹可例如以扇形形状彼此汇聚或发散。因此，φ的值可表示入射角的平均值，其中轨迹个别地从平均值变化到若干度。在各种实施例中，如在已知的系统中，可提取离子束210作为连续的束或作为脉冲离子束。举例来说，偏压电源220可被配置成在等离子体室202与处理室224之间供应电压差作为脉冲DC电压，其中脉冲电压的电压、脉冲频率及工作周期可彼此独立地进行调整。

在各种实施例中，源222可向等离子体室202供应气体，例如反应气体。依据被提供到等离子体室202的物质的具体组成成分，等离子体204可产生各种蚀刻物质或沉积物质。

在各种实施例中，离子束210可被提供为带状反应离子束，所述带状反应离子束具有沿图2B中所示笛卡尔坐标系的X方向延伸的长轴。通过沿扫描方向230相对于提取孔隙208(且因此相对于离子束210)扫描包括衬底102的衬底台板214，离子束210可蚀刻衬底102或在衬底102上沉积。离子束210可由任意方便的气体混合物(包括惰性气体、反应气体)构成，且在一些实施例中可结合其他气体物质被提供。在特定实施例中，离子束210及其他反应物质可作为蚀刻配方被提供到衬底102以执行对层(例如，光栅层107)的定向反应离子蚀刻。如在所属技术领域中已知，此种蚀刻配方可使用已知的反应离子蚀刻化学物质来蚀刻例如氧化物等材料或其他材料。在其他实施例中，离子束210可由惰性物质形成，其中提供离子束210以在相对于离子束210扫描衬底102时通过物理溅镀蚀刻衬底102(或更具体来说，光栅层107)。

在图2B所示的例子中，将离子束210提供为带状反应离子束，所述带状反应离子束沿X方向延伸到束宽度，其中所述束宽度即使在沿X轴的最宽部分处仍足以暴露出衬底102的整个宽度。示例性束宽度可处于10cm、20cm、30cm或大于30cm的范围内，而沿Y轴的示例性束长度可处于2mm、3mm、5mm、10mm或20mm的范围中。所述实施例并不仅限于此上下文中。

应注意，扫描方向230可表示沿Y轴在两个相对(180度)的方向上扫描衬底102，或仅朝左扫描或仅朝右扫描。如在图2B中所示，离子束210的长轴沿垂直于扫描方向230的X方向延伸。因此，当沿扫描方向230对衬底102进行扫描直至从衬底102的左侧到右侧的充分长度时，整个衬底102可被暴露至离子束210。

在各种实施例中，如以下详细论述，处理设备200可用于形成具有可变特征(例如，角度、厚度及深度)的光栅层。光栅特征可通过利用处理配方相对于离子束210扫描衬底102来实现。简单地说，处理配方可需要改变一组处理参数中的至少一个处理参数，从而具有在扫描衬底102期间改变由离子束210导致的蚀刻速率或沉积速率的效果。此种处理参数可包括衬底102的扫描速率、离子束210的离子能量、当离子束210被提供为脉冲离子束时离子束210的工作周期、离子束210的扩展角度以及衬底102的旋转位置。在本文中的至少一些实施例中，处理配方还可包括光栅层107的材料以及蚀刻离子130的化学特性。在另一些其他实施例中，处理配方可包括光栅层107的起始几何形状(包括尺寸和纵横比)以及蚀刻终止层104的存在(包括预期蚀刻不足蚀刻终止层104还是过蚀刻到蚀刻终止层104中)。所述实施例并不仅限于此上下文。由于由离子束210导致的沉积速率或蚀刻速率可在扫描衬底102期间变化，因此光栅层107的厚度或高度可沿扫描方向(Y轴)变化，从而产生(在以下详细论述的进一步的处理操作之后)如在图1A中所示的所得结构。

现在转到图3，将更详细地阐述通过本文中实施例的蚀刻工艺在光栅层107中形成的一组示例性鳍或成角结构112。成角结构112可通过上述蚀刻工艺中的任一者形成，以制造具有独特位置、形状、三维取向等的成角结构112。在一些例子中，蚀刻工艺能够控制或修改所述一组成角结构112的以下光栅参数中的任一者：节距、掩模层108厚度、鳍高度、鳍厚度CD、角半径β及α、过蚀刻到蚀刻终止层104中、倾侧(heeling)、第一侧壁角度ρ、第二侧壁角度θ及底脚(footing)。

选择性输入与输出角度ρ与θ之间的关系示出于图4的曲线图250中。在示例性实施例中，增加选择性会使得第一侧壁的角度ρ与第二侧壁的角度θ变得更加平行。在理论例子中，选择性最优地被选择为50，从而使得每个成角构件的侧壁平行或几乎平行。如图所示，当S>10时，第一侧壁的角度ρ与第二侧壁的角度θ变得大致平行。

图5A到5D所示的实施例展示具有不同选择性值(S)的各种光栅构件。举例来说，对于图5A中的光栅构件300A来说S＝2，对于图5B中的光栅构件300B来说S＝5，对于图5C中的光栅构件300C来说S＝10，且对于图5D中的光栅构件300D来说S＝20。随着选择性增大，成角构件的侧壁变得更加平行。如进一步所示，较高的选择性值使得掩模层308保持在光栅层307的每个成角结构的顶部。

现在转到图6A到6B，将更详细地阐述图5D所示的光栅构件300C的形成。如前所述，光栅构件300C可具有为20的选择性值。在所示的非限制性实施例中，高选择性掩模层308与平行蚀刻(低束角度扩展(BAS))结合而使得每个鳍312的第一侧壁341与第二侧壁342平行或近似平行。此外，由于在整个处理过程中存在掩模层308，因此较高的选择性使得能够在每个鳍312之间形成过蚀刻区域350(图6B)。在所示的例子中，使用蚀刻离子使光栅构件300C经受处理，所述蚀刻离子使得在光栅层307中形成沟渠314。图6A示出处于部分蚀刻状态的光栅构件300C。由于蚀刻不足(under-etching)，因此存在沿每个鳍312的倾侧(heeling)343及底脚(footing)345。图6B示出完成额外蚀刻循环后的光栅构件300C。在处理的此阶段中，移除或大大减少了沿着每个鳍312的倾侧343及底脚345。在一些实施例中，结合>～20:1的材料选择性(例如掩模层308对光栅层307)，硬掩模及反应离子束化学作用被选择以形成平行或实质上平行的第一侧壁341及第二侧壁342。

如图6B所示，掩模层308保持在光栅层307的顶部，并且多个沟渠314被形成到蚀刻终止层304中。换句话说，蚀刻离子可形成凹陷到蚀刻终止层304中的过蚀刻区域350。如此一来，第一侧壁341的角度θ与第二侧壁342的角度ρ变得更加平行，并且减少或消除了每个鳍312的倾侧343及底脚345(图6A)。在一些实施例中，由于过蚀刻区域350，第一侧壁341的角度θ与第二侧壁342的角度ρ彼此相等或近似相等。然而，在其他实施例中，第一侧壁341的角度θ与第二侧壁342的角度ρ不相等。

可通过蚀刻离子形成光栅构件300C。蚀刻化学物质可包括蚀刻离子以及其他非离子物质，且可根据已知的反应离子蚀刻组成成分进行选择以选择性地蚀刻光栅层307而不蚀刻掩模层308。举例来说，在一个例子中，可对蚀刻化学物质进行选择以相对于碳选择性地蚀刻SiO

可将蚀刻离子提供为带状反应离子束，其中所述带状反应离子束的离子轨迹相对于蚀刻终止层304的顶表面344界定非零倾斜角。可根据已知的技术例如利用与提取孔隙208相邻的束阻挡器(beam blocker)、沿Y轴调整提取孔隙宽度、以及调整等离子体204内的等离子体条件(包括气体压力)来产生非零入射角，以改变接近提取孔隙208的等离子体鞘边界(plasma sheath boundary)228的曲率。

在另一实施例中，如图7A所示，离子束角度扩展(beam angle spread，BAS)和/或束角度平均值可变化，所述离子束角度扩展和/或束角度平均值影响光栅构件400。举例来说，由蚀刻离子430A表示的定向反应离子蚀刻可以是发散的束扩展(diverging beamspread)，而由蚀刻离子430B表示的定向反应离子蚀刻可以是汇聚的束扩展(convergingbeam spread)。如图7B所示，通过改变束角度扩展(汇聚或是发散)，每个鳍412的第一侧壁441及第二侧壁442可以是弯曲的或凹陷的。在一些实施例中，每个鳍412的中心部分445分别比上部446及下部447更窄(例如，在+-y方向上)。增加束角度扩展可使得每个鳍412具有更大的曲线。在其他实施例中，将束角度扩展增加太多并同时也选择对蚀刻终止层404进行过蚀刻可导致过弯的鳍和/或沿着下部变薄的鳍。因此，当作为处理配方的一部分一起选择束角度扩展及过蚀刻时，束角度扩展及过蚀刻将被最优化。

根据本公开的额外实施例，可通过执行上述光栅层的处理的变型而轻易地实现制作多个光栅。在一些实施例中，可在一个衬底或多个衬底上预制多个光栅区，其中所述一个或多个衬底放置在衬底台板214上(图2A到2B)。在特定实施例中，可制作具有多个不同光栅场的衬底，其中成角特征在一个光栅场中的方向不同于在另一光栅场中的方向。通过背景技术，在将多个不同的光栅排列在透明目镜上以形成“微透镜”时，可形成已知的AR目镜。第一光栅可具有从目镜的顶部向底部取向的成角结构，而第二光栅可具有在目镜上从左侧向右侧取向的成角结构。

尽管上述实施例大部分在直接于目镜中形成光栅的上下文中进行了详细论述，但在其他实施例中，可使用相同的光栅结构形成主站。换句话说，具有或不具有蚀刻终止层及掩模层的光栅构件或类似的光栅构件(例如，Si晶片)可充当主站以将光栅图案印刻到目镜上的光栅层中或将被应用到目镜。应注意，在其中光栅构件将充当主站的实施例中，衬底、蚀刻终止层(若包括)以及光栅层不需要为透光的。

此外，尽管上述实施例侧重于带状反应离子束来执行处理以及成角蚀刻，但在各种实施例中，可使用例如自由束(radical beam)等束来执行蚀刻。

此外，本文中的实施例可以是由计算机实施的。举例来说，处理设备200可包括用于执行逻辑运算、计算任务、控制功能等的计算机处理器。在一些实施例中，计算机处理器可以是处理器的构件。计算机处理器可包括一个或多个子系统、构件、模块和/或其他处理器，并且可包括可使用定时器信号操作来锁存数据、推进逻辑状态、同步计算及逻辑运算和/或提供其他定时功能的各种逻辑构件。在运行期间，计算机处理器可接收通过LAN和/或WAN(例如，T1、T3、56kb、X.25)、宽带连接(ISDN、帧中继、ATM)、无线链路(802.11、蓝牙等)等传输的信号。在一些实施例中，可使用例如可信密钥对加密(trusted key-pairencryption)对信号进行加密。不同的系统可使用例如以下不同的通信路径传输信息：以太网或无线网络、直接串行或并行连接、USB、火线

一般来说，计算机处理器执行存储在存储器单元和/或存储系统中的计算机程序指令或代码。举例来说，当执行计算机程序指令时，计算机处理器使处理设备200接收输入(例如，本文中所论述的任何处理参数)，并从计算机处理器提供输出。在一些实施例中，计算机处理器执行并实行处理配方以形成光栅构件100、300以及400。

在执行计算机程序代码时，计算机处理器可从存储器单元和/或存储系统读取数据和/或将数据写入存储器单元和/或存储系统。存储系统可包括VCR、DVR、RAID阵列、USB硬盘驱动器、光盘记录器、闪存存储装置和/或用于存储和/或处理数据的任何其他数据处理及存储元件。尽管图中未示出，但处理设备200还可包括与计算机基础设施的一个或多个硬件构件通信的I/O接口，以使用户能够与处理设备200(例如，键盘、显示器、照相机等)交互作用。

现在转到图8，将更详细地阐述根据本公开的实施例的方法500。具体来说，在方块502处，提供衬底。在一些实施例中，衬底是硅。在其他实施例中，衬底可以是透明材料(例如，玻璃)。

在方块504处，在衬底顶部提供蚀刻终止层。所述蚀刻终止层可以是透光材料，并且可具有10nm到100nm的厚度。所述实施例并不仅限于此上下文中。适用于蚀刻终止层的材料的例子包括SiN、SiO

在方块506处，在蚀刻终止层之上设置光栅层。在一些实施例中，光栅层可包含透光材料，包括但不限于氧化硅、氮化硅、玻璃或其他材料。

在方块508处，在光栅层上设置掩模层。在一些实施例中，掩模包括线性图案。线性图案可具有沿垂直于第一方向的第二方向或扫描方向延伸的线性掩模元件(linear maskelement)。在其他实施例中，掩模包括非线性图案。举例来说，掩蔽图案(masking pattern)可包括一个或多个弯曲元件。

在方块510处，在光栅层中形成光栅。在一些实施例中，光栅包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置，其中所述蚀刻使得在蚀刻终止层中形成过蚀刻区域。

在方块512处，使过蚀刻区域凹陷到所述多个成角构件之间的蚀刻终止层中。在一些实施例中，每个成角构件的第一侧壁的第一角度与第二侧壁的第二角度可彼此平行或近似平行。此外，在蚀刻终止层内形成过蚀刻区域减少或消除沿光栅的每一成角构件的基部的倾侧及底脚。

综上所述，本文中所述的各种实施例提供形成包括用于AR&VR的目镜的光栅构件、或形成用于AR&VR目镜的光栅的主站的方式。可通过将成角离子直接应用到衬底上和/或应用到用于将图案转移到感兴趣的衬底的掩模上而完成制造。本公开实施例的第一技术优点包括使后处理(post processing)(例如，纳米压印光刻(NIL))最优化，因为一些形状不太适合后续工艺。第二技术优点是使光栅的形状及大小最优化，从而转换为光“弯曲”功率(optical“bending”power)。根据本文中的实施例的二维投影系统需要更复杂、更多且更分布式的光学。

本发明的范围不受本文中所述的具体实施例的限制。事实上，通过以上说明及附图，除本文中所述的该些实施例及修改形式以外，本发明的其他各种实施例以及修改形式对所属领域中的普通技术人员来说也将为显而易见的。因此，此类其他实施例及修改形式旨在落于本发明的范围内。此外，已在本文中在特定实施方式的上下文中在特定环境下出于特定目的阐述了本发明。所属领域中的普通技术人员将认识到有用性并非仅限于此，且本发明可在任意数目的环境下出于任意数目的目的有利地实施。因此，以下阐述的权利要求将根据如在本文中阐述的本发明的整个宽度及精神进行解释。