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公开/公告号CN112331769A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-05
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN202011156234.7
发明设计人 何雄;夏正才;
申请日2020-10-26
分类号H01L47/00(20060101);H01L43/08(20060101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人李智
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 09:49:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-27
授权
发明专利权授予
机译: 利用磁阻效应的负阻器件
机译: 利用磁阻效应的负阻装置
机译: 利用磁阻效应的负阻元件
机译:Al / MnO 2 Subscript> / SS薄膜金属-绝缘体-金属器件中的丝状和均质电阻开关与忆阻和忆阻记忆效应共存
机译:半导体器件中的非局部碰撞电离效应
机译:单晶薄膜器件中的忆阻行为和负电容效应共存
机译:MOSFET器件中电离辐射效应与负偏压温度不稳定性(NBTI)之间的相似性
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:光学可调磁阻效应:从机理到新型器件的应用
机译:一种负阻磁阻电路