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多管芯超细节距片块架构和制造方法

摘要

实施例包括半导体封装以及用于形成所述半导体封装的方法。一种半导体封装包括在玻璃片块之上的桥。所述桥利用粘合层而被耦合到所述玻璃片块。所述半导体封装还包括在所述桥和玻璃片块之上的高密度封装(HDP)基板。所述HDP基板利用多个模塑通孔(TMV)而被导电地耦合到玻璃片块。所述半导体封装此外包括在所述HDP基板之上的多个管芯,以及在所述TMV、桥、粘合层和玻璃片块之上的第一包封层。所述HDP基板包括多个导电互连,所述多个导电互连将所述管芯导电地耦合到所述桥和玻璃片块。所述桥可以是嵌入式多管芯互连桥(EMIB),其中所述EMIB被通信地耦合到所述管芯,并且所述玻璃片块包括多个玻璃通孔(TGV)。

著录项

  • 公开/公告号CN112310050A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN202010219112.1

  • 申请日2020-03-25

  • 分类号H01L25/065(20060101);H01L25/18(20060101);H01L23/538(20060101);H01L21/98(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人孙鹏;申屠伟进

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 09:44:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/065 专利申请号:2020102191121 申请日:20200325

    实质审查的生效

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