一种半导体电容电压特性测试方法及电路

摘要

本发明公开了一种半导体电容电压特性测试方法及电路，方法是基于利用PN结或肖特基势垒在反向偏置电压下的电容特性，得出待测半导体的杂质浓度及其分布信息，进而测试出电容电压特性；通过CPLD电路和MCU电路建立通讯，将测量得到的数据进行计算并显示出来，同时和电压以及电流表头进行通讯，得到表头测量的偏置电压值与漏电流值，而后将其传输至上位机。分析了测量系统的误差来源，对测量误差进行了补偿，减小了误差对测量结果的影响；此外，设置偏置电压源有效地解决了直流偏置电压的范围小的问题。