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半导体存储装置

摘要

实施方式提供一种能够抑制电力消耗的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含第1至第4绝缘区域、以及第1及第2柱。多个第1绝缘区域沿着与第1方向交叉的第2方向设置。第1柱沿着第1方向贯通第2导电体层且设置于多个第1绝缘区域间。多个第2绝缘区域沿着第2方向设置。第2柱沿着第1方向贯通第7导电体层且设置于多个第2绝缘区域间。第3绝缘区域在第1绝缘区域与第2绝缘区域之间,沿着第2方向设置。第4绝缘区域在俯视下与第3绝缘区域隔开,且设置于第2导电体层与第7导电体层之间。

著录项

  • 公开/公告号CN112242401A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 铠侠股份有限公司;

    申请/专利号CN202010091048.3

  • 发明设计人 吉村尚弥;中塚圭祐;

    申请日2020-02-13

  • 分类号H01L27/11565(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11575(20170101);H01L27/11582(20170101);G11C16/04(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人张世俊

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-06-19 09:36:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    授权

    发明专利权授予

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