首页> 中国专利> 一种高比表面积生物质基纳米二氧化硅的制备方法

一种高比表面积生物质基纳米二氧化硅的制备方法

摘要

本发明提供了一种高比表面积生物质基二氧化硅的制备方法,属生物质高质化利用技术领域。以碳化稻壳为硅源、采用多功能混合模板分散剂及环境友好沉淀剂,通过改进的化学沉淀法制备出高比表面积生物质基二氧化硅,在适当的反应条件下,二氧化硅产率高达99.3%。所得的二氧化硅的比表面积最高达1233m2/g,此种方法所用设备及操作简单,过程废液循环使用,生产过程绿色环保,所得的高比表面积生物质基二氧化硅可用于生物医学材料、化妆品制备等高端应用领域。为碳化稻壳的高质化利用提供了新的途径。

著录项

  • 公开/公告号CN112194146A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长春工业大学;

    申请/专利号CN202011013766.5

  • 发明设计人 张龙;汤宝宇;魏超;

    申请日2020-09-24

  • 分类号C01B33/18(20060101);C01B32/324(20170101);A61K8/25(20060101);A61Q19/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 130012 吉林省长春市延安大街2055号

  • 入库时间 2023-06-19 09:29:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B33/18 专利申请号:2020110137665 申请公布日:20210108

    发明专利申请公布后的视为撤回

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