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低功耗的强锁存结构电平转换器电路

摘要

本发明公开了一种低功耗的强锁存结构电平转换器电路,包括:依次连接的DLS逻辑输入反相器、强锁存电路、以及DLS逻辑输出反相器;其中,所述强锁存电路包括四个NMOS晶体管与四个PMOS晶体管构成的两部分结构;每一部分结构均包括两个NMOS晶体管与两个PMOS晶体管,由NMOS晶体管开始串联不同类型的晶体管;每一部分结构中间位置的PMOS晶体管漏极与NMOS晶体管漏极的连接节点均与底部PMOS晶体管的栅极连接,从而形成负反馈回路;并且,当前部分结构底部PMOS晶体管的栅极还连接另一部分结构中间位置的PMOS晶体管栅极。该电路采用DLS逻辑反相器构成输入反相器与输出反相器,并采用一种强锁存结构锁存电路,电压转换范围广且降低了静态功耗和每次转换的功耗。

著录项

  • 公开/公告号CN112187253A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安徽大学;

    申请/专利号CN202011222873.9

  • 发明设计人 吴秀龙;宋长武;

    申请日2020-11-05

  • 分类号H03K19/0185(20060101);

  • 代理机构11260 北京凯特来知识产权代理有限公司;

  • 代理人郑立明;韩珂

  • 地址 230601 安徽省合肥市经济开发区九龙路111号

  • 入库时间 2023-06-19 09:27:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-02

    授权

    发明专利权授予

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