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磁性随机存储器

摘要

本发明提供了一种磁性随机存储器,所述磁性随机存储器包括:反铁磁层;磁隧道结,设于所述反铁磁层上,包括与所述反铁磁层对应设置的铁磁层;其中,所述磁隧道结的铁磁层具备面内磁各向异性,所述反铁磁层与所述铁磁层间通过退火工艺形成交换偏置场。所述交换偏置场的方向通过自旋轨道矩改变,从而改变所述铁磁层磁矩的方向,实现数据写入。本发明可提高i‑MTJ的热稳定性,减小i‑MTJ的横向尺寸,从而提高磁存储器的存储密度。

著录项

  • 公开/公告号CN112186094A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航空航天大学;

    申请/专利号CN202011059916.6

  • 申请日2020-09-30

  • 分类号H01L43/02(20060101);H01L43/08(20060101);G11C11/16(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人孙乳笋;赵平

  • 地址 100191 北京市海淀区学院路37号

  • 入库时间 2023-06-19 09:27:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-02-28

    授权

    发明专利权授予

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