一种激光焊接的方法、装置、计算机设备和介质

摘要

本申请提供了一种激光焊接的方法、装置、计算机设备和介质，所述方法包括：控制器控制吸附装置将热沉固定在焊接台上；控制器通过控制激光发射器将热沉的温度值在第一预设时间段内加热至第一预设温度值；控制器控制取放装置将待焊接芯片放置在热沉上；控制器在热沉的维持第一预设温度值的时间达到第二预设时间段时，控制激光发射器对热沉进行加热，以使热沉的温度值在第三预设时间段内达到第二预设温度值；控制器在热沉的维持第二预设温度值的时间达到第四预设时间段时，控制水冷系统对热沉进行降温，以使热沉在第五预设时间段内达到第三预设温度值；控制器检测到热沉的温度值达到第三预设温度值时，确定焊接结束。

说明书

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种激光焊接的方法、装置、计算机设备和介质。

背景技术

随着科技的发展，芯片变得无处不在，计算机、手机和其他数字电器成为社会结构不可缺少的一部分。这是因为，现代计算、交流、制造和交通系统，包括互联网，全都依赖于芯片的存在。甚至很多学者认为有芯片带来的数字革命是人类历史中最重要的事件。

目前，芯片的制作过程相对复杂，且芯片的制作成本较高，在进行激光焊接过程中，加热的温度控制的精准度，决定了激光焊接的优良程度，现在市场上使用的光加热和电加热的加热方式在实际使用过程中温度控制不精准，影响芯片的成品率。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种激光焊接的方法、装置、计算机设备和介质，用于解决现有技术中激光焊接过程中温度控制不精准的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种激光焊接的方法，应用于激光焊接装置，激光焊接装置包括控制器、吸附装置、焊接台、温度传感器、激光发射器、水冷系统，方法包括：

控制器控制吸附装置将热沉固定在焊接台上；

控制器通过温度传感器实时检测热沉的温度值；

控制器根据检测到的热沉的温度值控制激光发射器对热沉进行加热；

控制器通过控制激光发射器将热沉的温度值在第一预设时间段内加热至第一预设温度值；

控制器检测到热沉的温度值达到第一预设温度值时，控制器控制取放装置将待焊接芯片放置在热沉上；

控制器控制激光发射器对热沉进行加热，以使热沉在第二预设时间段内的温度值维持在第一预设温度值；

在热沉的维持第一预设温度值的时间达到第二预设时间段时，控制器控制激光发射器对热沉进行加热升温，以使热沉的温度值在第三预设时间段内达到第二预设温度值；

控制器根据检测到的热沉的温度值达到第二预设温度值时，通过控制激光发射器对热沉进行加热，以使热沉在第四预设时间段内的温度值维持在第二预设温度值；

在热沉的维持第二预设温度值的时间达到第四预设时间段时，控制器控制水冷系统对热沉进行降温，并关闭激光发射器，以使热沉在第五预设时间段内降到第三预设温度值；

控制器检测到热沉的温度值达到第三预设温度值时，确定焊接结束，以使待焊接芯片焊接在热沉上。

可选的，激光焊接装置还包括保护装置；在控制器根据检测到的热沉的温度值控制激光发射器对待焊接芯片进行加热之前，还包括：

控制器控制保护装置开始向热沉所在位置持续通入氮气。

可选的，方法还包括：

控制器检测到热沉的温度值降到第三预设温度值时，控制器控制保护装置停止向热沉所在位置通入氮气。

可选的，所述控制器控制激光发射器对热沉进行加热，以使热沉在第二预设时间段内的温度值维持在第一预设温度值，包括：

在所述第二预设时间段内，控制器检测到所述热沉的温度值小于第一预设温度值，则控制器控制激光发射器增加加热功率；

在所述第二预设时间段内，控制器检测到所述热沉的温度值大于等于第一预设温度值，则控制器控制激光发射器降低加热功率。

可选的，在所述第二预设时间段内所述热沉的温度值与所述第一预设温度值之间差的绝对值小于2℃。

可选的，所述控制器根据检测到的热沉的温度值达到第二预设温度值时，通过控制激光发射器对热沉进行加热，以使热沉在第四预设时间段内的温度值维持在第二预设温度值，包括：

在所述第四预设时间段内，控制器检测到所述热沉的温度值小于第二预设温度值，则控制器控制激光发射器增加加热功率；

在所述第四预设时间段内，控制器检测到所述热沉的温度值大于等于第二预设温度值，则控制器控制激光发射器降低加热功率。

可选的，在所述第四预设时间段内所述热沉的温度值与所述第二预设温度值之间差的绝对值小于2℃。

第二方面，本申请实施例提供了一种激光焊接的装置，包括激光发射器、焊接台、吸附装置、温度传感器和水冷系统；

激光发射器用于对热沉进行激光加热；

焊接台用于放置待焊接的物料；

温度传感器用于实时检测热沉的温度值；

吸附装置用于将热沉固定在焊接台上；

水冷系统用于对热沉进行降温。

可选的，装置还包括焊接主架，焊接主架上设置有加热通道，激光发射器设置在加热通道的一端，焊接台设置在加热通道的另一端；

加热通道为L型，加热通道内设置有反光镜，用于将激光发射器发射的激光反射至焊接台；

焊接台内设置有真空吸附腔，真空吸附腔通过真空通道连接吸附装置，真空吸附腔通过吸附通道连接热沉。

第三方面，本申请实施例提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述方法的步骤。

本申请所提供的激光焊接的方法，控制器控制吸附装置将热沉固定在焊接台上；控制器通过温度传感器实时检测热沉的温度值；控制器根据检测到的热沉的温度值控制激光发射器对热沉进行加热；控制器通过控制激光发射器将热沉的温度值在第一预设时间段内加热至第一预设温度值；控制器检测到热沉的温度值达到第一预设温度值时，控制器控制取放装置将待焊接芯片放置在热沉上；控制器控制激光发射器对热沉进行加热，以使热沉在第二预设时间段内的温度值维持在第一预设温度值；在热沉的维持第一预设温度值的时间达到第二预设时间段时，控制器控制激光发射器对热沉进行加热升温，以使热沉的温度值在第三预设时间段内达到第二预设温度值；控制器根据检测到的热沉的温度值达到第二预设温度值时，通过控制激光发射器对热沉进行加热，以使热沉在第四预设时间段内的温度值维持在第二预设温度值；在热沉的维持第二预设温度值的时间达到第四预设时间段时，控制器控制水冷系统对热沉进行降温，并关闭激光发射器，以使热沉在第五预设时间段内降到第三预设温度值；控制器检测到热沉的温度值降到第三预设温度值时，确定焊接结束，以使待焊接芯片焊接在热沉上。

在某些实施例中，本申请实现了通过激光发射器对固定在焊接台上的待焊接芯片进行加热，可实时精准的控制焊接过程中的温度，解决了传统焊接中温度难以把控的问题，通过实时监控得到的温度，来控制整个焊接过程中的温度，避免芯片在焊接过程中老化以及焊接过程中洁净度不达标的问题，提高焊接的成品率。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提供的焊接装置的主视图；

图2为本发明实施例提供的焊接装置的俯视图；

图3为图2的A-A剖视图；

图4为图3的B处局部放大图；

图5为本发明实施例提供的焊接装置的侧视图；

图6为本发明实施例提供的焊接装置的后视图；

图7为本发明实施例提供的焊接装置的立体图；

图8为本发明实施例提供的焊接装置的焊接台的结构示意图；

图9为本申请实施例提供的一种激光焊接的方法的流程示意图；

图10为本申请实施例提供的一种计算机设备的结构示意图。

图标：1-焊接台；2-焊接主架；3-调节架；4-支撑台；5-支腿；6-激光支架；7-氮气装置支架；8-氮气保护气路；9-温度传感器；10-固定台；11-循环管路；12-加热通道；13-激光发射器；14-真空吸附腔；15-吸附通道；16-真空通道；17-反光镜；18-压板；19-垫块；20-热沉；21-芯片；22-槽结构。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

目前，由于芯片的制作成本较高，在进行激光焊接过程中，加热的温度控制的精准度，决定了激光焊接的优良程度，现在市场上使用的光加热和电加热的加热方式，存在加热效率低、加热响应时间慢、使用寿命短以及洁净度的问题，导致在实际使用过程中温度控制不精准，影响芯片的成品率。

本申请实施例提供了一种激光焊接的方法，如图9所示，应用于激光焊接装置，激光焊接装置包括控制器、吸附装置、焊接台、温度传感器、激光发射器、水冷系统，方法包括：

S101，控制器控制吸附装置将热沉固定在焊接台上；

S102，控制器通过温度传感器实时检测热沉的温度值；

S103，控制器根据检测到的热沉的温度值控制激光发射器对热沉进行加热；

S104，控制器通过控制激光发射器将热沉的温度值在第一预设时间段内加热至第一预设温度值；

S105，控制器检测到热沉的温度值达到第一预设温度值时，控制器控制取放装置将待焊接芯片放置在热沉上；

S106，控制器控制激光发射器对热沉进行加热，以使热沉在第二预设时间段内的温度值维持在第一预设温度值；

S107，在热沉的维持第一预设温度值的时间达到第二预设时间段时，控制器控制激光发射器对热沉进行加热升温，以使热沉的温度值在第三预设时间段内达到第二预设温度值；

S108，控制器根据检测到的热沉的温度值达到第二预设温度值时，通过控制激光发射器对热沉进行加热，以使热沉在第四预设时间段内的温度值维持在第二预设温度值；

S109，在热沉的维持第二预设温度值的时间达到第四预设时间段时，控制器控制水冷系统对热沉进行降温，并关闭激光发射器，以使热沉在第五预设时间段内降到第三预设温度值；

S110，控制器检测到热沉的温度值达到第三预设温度值时，确定焊接结束，以使待焊接芯片焊接在热沉上。

在上述步骤S101中，首先把热沉放置到焊接台上，控制器开启吸附装置，通过负压管道为热沉提供负压，确保热沉在整个焊接过程中位置不会发生变化。负压管道对热沉进行固定属于非接触式固定方式，非接触式固定方式不会直接接触热沉，这种固定方式对热沉的损伤较小。直接接触的固定方式会直接接触并挤压热沉，这种固定方式对热沉的损伤较大。

在上述步骤S102中，温度传感器固定在焊接台内部，用于实时检测焊接台的实时温度，控制器通过实时获取温度传感器的温度值来确定热沉的实时温度。控制器通过监测热沉的实时温度来控制激光发射器的加热功率，确保整个加热过程按照预定的加热曲线完成。

在上述步骤S103中，开启激光发射器，加热激光通过光纤射入加热台本体再通过加热台本体内部的反光镜反射射到热沉上，从而开始加热过程，通过控制器调节激光器功率。

在上述步骤104中，第一预设时间段是预先设置好的，优选的，第一预设时间段可以是5秒。第一预设温度值是预先设置好的，优选的，第一预设温度值可以是250℃。

具体实施中，控制器开启激光发射器，加热激光通过光纤射入加热台本体，再通过加热台本体内部的反光镜反射射到ALN焊接台上，从而开始加热过程，通过控制器调节激光发射器功率，确保ALN焊接台的温度5s内从室温升温到250℃(也就是第一预设温度值)。

在上述步骤105中，待焊接芯片需要焊接在热沉上，因此，在热沉加热到第一预设温度值时，需要将待焊接芯片放置在热沉上。

在上述步骤106中，第二预设时间段是预先设置好的，优选的，第二预设时间段可以是5秒。

具体实施中，温度加热到250℃后，通过控制器的闭环控制，让焊接台温度维持在250℃(也就是第一预设温度值)，持续时间5s，确保焊接台和加热台本体等温。但是在第二预设时间段内热沉的温度值并不是一个完全稳定的状态，因此，控制器需要控制激光器的加热功率，以使热沉的温度保持在250℃左右，也就是，在所述第二预设时间段内所述热沉的温度值与所述第一预设温度值之间差的绝对值小于2℃。

在所述第二预设时间段内，控制器检测到所述热沉的温度值小于第一预设温度值，则控制器控制激光发射器增加加热功率；

在所述第二预设时间段内，控制器检测到所述热沉的温度值大于等于第一预设温度值，则控制器控制激光发射器降低加热功率。

在上述步骤107中，第二预设温度值是预先设置好的，优选的，第二预设温度值可以是350℃。第三预设时间段是预先设置好的，优选的，第三预设时间段可以是3秒。

具体实施中，控制器控制激光发射器加大加热功率，使得热沉温度3s内由250℃(也就是第一预设温度值)加热到350℃(也就是第二预设温度值)。

在上述步骤108中，第四预设时间段是预先设置好的，优选的，第三预设时间段可以是8秒。

具体实施中，温度加热到350℃(也就是第二预设温度值)后，通过控制器的闭环控制，让焊接台温度维持在350℃(也就是第二预设温度值)，持续时间8s，确保吸附在热沉上的芯片的焊料完全熔化。但是在第四预设时间段内热沉的温度值并不是一个完全稳定的状态，因此，控制器需要控制激光器的加热功率，以使热沉的温度保持在350℃左右，也就是，在所述第四预设时间段内所述热沉的温度值与所述第二预设温度值之间差的绝对值小于2℃。

在所述第四预设时间段内，控制器检测到所述热沉的温度值小于第二预设温度值，则控制器控制激光发射器增加加热功率；

在所述第四预设时间段内，控制器检测到所述热沉的温度值大于等于第二预设温度值，则控制器控制激光发射器降低加热功率。

本申请所提到的加热方式是激光加热，相较于传统的加热方式来说加热效率高，节约机械设计空间，维修方便，加热空间洁净度高。传统加热方式有电加热和光加热，光加热相比与激光加热，加热的效率低，加热时间慢；电加热需要铺设加热丝，激光加热比电加热更节约机械设计的空间，电加热如果故障维修起来，没有激光发射器的方便，电加热时间容易产生一些杂质影响焊接时候的空间洁净度，空间洁净度对于激光焊接的好坏有很大的影响。

在上述步骤109，第五预设时间段是预先设置好的，优先的，第五预设时间段可以是3秒。第三预设温度值是预先设置好的，优先的，第三预设温度值可以是300℃。

具体实施中，控制器开启水冷系统，循环冷却水通过水管流入加热台本体，从而快速冷却固定在加热台本体上的热沉，进而达到冷却焊接芯片，控制器通过闭环控制，确保焊接芯片温度在3s内由350℃(也就是第二温度值)降温到300℃(也就是第三预设温度值)以下。此时，为了加快冷却速度，也需要关闭激光发射器。

本申请所用到的降温方式采用的是水冷系统降温，水冷系统相比传统技术中的风冷系统来说，冷却速率更快，风冷加速空气流动，对于空间洁净度也有很大的而影响，而且水冷的速率更好控制包括冷却水的温度以及水循环的速度都是可控的。

在上述步骤110中，在达到第三预设温度值后，待焊接芯片和热沉的温度值已经降低了，这时候，待焊接芯片已经和热沉焊接在了一起了，也就是，焊接操作结束了。

待焊接芯片在焊接的过程中需要保持在一个无氧的环境，因此，在焊接过程中需要在待焊接芯片所在位置通入氮气，也就是，在步骤S103之前，还包括：

步骤1031，控制器控制保护装置向热沉所在位置持续通入氮气。

在上述步骤1031的具体实施中，开启保护装置并通过气管通入氮气，为焊接过程提供一个无氧环境，减少焊接过程中氧化的可能性。

氮气的输入可以为焊接过程提供一个无氧环境，但是一直通入氮气会增加资源的消耗，因此，为了减少消耗，需要及时停止氮气的输入，上述方法还包括：

步骤120，控制器检测到热沉的温度值达到第二预设温度值时，控制器控制保护装置停止向热沉所在位置通入氮气。

下面结合图1-图8，对本发明的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

第二方面，本发明实施例提供一种芯片焊接装置，包括激光发射器、焊接台、吸附装置、温度传感器和冷却装置；

激光发射器13用于对热沉20进行激光加热；

焊接台1用于放置热沉20；

温度传感器9用于实时检测热沉的温度值；

吸附装置用于将热沉20固定在焊接台上；

冷却装置用于对热沉进行降温。

具体的，在本实施例中，激光发射器13将激光发射到焊接台1上，对焊接台1上的物料进行加热焊接。

具体的，激光焊接装置还包括焊接主架2，焊接主架2上设置有加热通道12，激光发射器13设置在加热通道12的一端，焊接台1设置在加热通道12的另一端。

具体的，加热通道12为L型，加热通道12内设置有反光镜17，用于将激光发射器13发射的激光反射至焊接台1。

在焊接时，将热沉20放置在焊接台1上后，再将芯片21放置在热沉20上，开启激光发射器13，激光发射器13向加热通道12内发射激光，激光经过反光镜17的反射后，照射到焊接台1的下方，对焊接台1进行加热，实现对焊接台1上的热沉20和芯片21之间的焊接。

具体的，加热通道12为L型，即激光入口和激光出口垂直，反光镜17设置在激光入口和激光出口的连接处，且设置角度为45°，即反光镜的镜面与激光的照射方向的角度为45°。

更具体的，在本实施例中，反光镜17与焊接主架2可拆卸连接。

在本实施例中，加热通道12的激光入口贯穿焊接主架2设置，且其中一个贯穿面为斜面，在斜面上通过螺栓固定有压板18，压板18为“乙”字型，在压板18和反光镜17之间还设置有垫块19或胶垫，既能够避免压板18对反光镜17造成破坏，有能够对反光镜17进行固定，还可以通过不同的胶垫或垫块19，实现对反光镜17的角度的调整。

也就是说，在本实施例中，反光镜17设置在焊接主架2的外部。

在可选的实施方式中，焊接台1内设置有真空吸附腔14，真空吸附腔14通过真空通道16连接吸附装置，真空吸附腔14通过吸附通道15连接热沉20。

在本实施例中，吸附装置为真空泵，通过真空泵对真空吸附腔14进行抽真空，进而对热沉20进行负压固定。

具体的，吸附通道15的上端为锥形孔，下端为直孔，锥形的较大底面在远离真空吸附腔14的一端，直孔上端连接锥形孔的较小底面，直孔的下端连接真空吸附腔14，真空通道16一端连通真空吸附腔14，另一端通过负压管连接真空泵。

当热沉20放置在焊接台1上时，热沉20的放置位置与吸附通道15相对应，真空泵开启，对真空吸附腔14进行抽真空，使得热沉20下方形成负压，进而通过负压实现对热沉20在焊接台1上的固定定位。

具体的，在本实施例中，在真空管路与真空泵之间还设置有过滤器、稳压器、压力显示装置、控制阀、电磁阀、节流阀等零部件，以保证抽真空的效果。

还包括压缩空气气路过滤、稳压、压力显示装置、各气路控制电磁阀、节流阀。

在本实施例中，还设置有氮气保护装置，氮气保护装置包括氮气保护气路8、稳压装置、压力显示装置、气路控制电磁阀、高精度气体流量计等组件；其中，氮气保护气路8的排气口与焊接台1相对应，通过氮气对焊接件进行保护。

在本实施例中，还设置了温度传感器9，温度传感器9设置在焊接台1上，用于测量焊接台1的加热温度。

通过温度传感器9测量焊接台1上的温度，能够对焊接台1的加热温度进行实时监控，进而保证加热的精准度。

在本实施例中，焊接台1通过螺栓连接或其他固定连接方式固定设置在焊接主架2上，为了便于对真空管路进行固定定位，在焊接主架2上设置了固定台10，固定台10上设置有固定孔，真空管路穿过固定孔后，一端连接焊接台1的真空通道16，另一端通过各个零部件与真空泵连接。

在本实施例中，在焊接台1的下侧面，即与焊接主架2连接的侧面上设置有多个槽结构22，用于增大光照面积，提高热传导效率。

在本实施例中，焊接主架2设置在焊接支撑架上，焊接支撑架包括支腿5和支撑台4，支腿5设置在支撑台4的下侧，对支撑台4进行支撑，焊接主架2设置在支撑台4的上侧，且在支撑台4还设置了激光支架6、氮气装置支架7，分别与激光发射器13、氮气保护装置连接。在支撑台4上还设置了调节架3，调节架3用于调节焊接支架的高度和角度，进而调节焊接台1和设置在焊接台1上的物料的高度和角度。

在本实施例中，激光发射器13为大功率光纤激光器或直接半导体激光器。

在本实施例中，冷却装置包括循环泵和循环管路11；循环泵与循环管路11连接，用于驱动循环管路11内的冷却液在循环管路11内循环流动；循环管路11用于对芯片21所在的焊接台1进行冷却。

降温阶段采用水冷却方式，降温速度快，效率高。相较于传统风冷却方式对洁净间的空气扰动几乎没有影响。

对应于图9中的激光焊接的方法，本申请实施例还提供了一种计算机设备1000，如图10所示，该设备包括存储器1001、处理器1002及存储在该存储器1001上并可在该处理器1002上运行的计算机程序，其中，上述处理器1002执行上述计算机程序时实现上述激光焊接的方法。

具体地，上述存储器1001和处理器1002能够为通用的存储器和处理器，这里不做具体限定，当处理器1002运行存储器1001存储的计算机程序时，能够执行上述激光焊接的方法，解决了现有技术中激光焊接过程中温度控制不精准。

对应于图9中的激光焊接的方法，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行上述激光焊接的方法的步骤。

具体地，该存储介质能够为通用的存储介质，如移动磁盘、硬盘等，该存储介质上的计算机程序被运行时，能够执行上述激光焊接的方法，解决了现有技术中激光焊接过程中温度控制不精准的问题，本申请通过激光发射器对固定在焊接台上的待焊接芯片进行加热，可实时精准的控制焊接过程中的温度，解决了传统焊接中温度难以把控的问题，通过实时监控得到的温度，来控制整个焊接过程中的温度，避免芯片在焊接过程中老化以及焊接过程中洁净度不达标的问题，提高焊接的成品率。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露方法和装置，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请提供的实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

最后应说明的是：以上实施例，仅为本申请的具体实施方式，用以说明本申请的技术方案，而非对其限制，本申请的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例技术方案的精神和范围。都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。