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一种低温下的微波器件S参数测量装置和测量方法

摘要

本发明提供了一种低温下的微波器件S参数测量装置和测量方法,所述测量装置包括网络分析仪和校准件,其特征在于还设有杜瓦罐、温度传感器和温度监测仪、低温微波开关和微波开关控制器、上位机。其中,校准件、低温微波开关和温度传感器安置在杜瓦罐内;网络分析仪、温度监测仪、微波开关控制器和上位机均安置在杜瓦罐外。基于本发明测量装置,可以在低温下实施SOLT和TRL两种校准方法,通过这两种校准方法可自动扣除低温下辅助测量器件的影响,精确地测出低温下待测微波器件的S参数,并利用两种校准方法获得的测量结果相互验证,判断其测量结果的准确性。同时,本发明测量装置还具有结构合理,稳定可靠的优点,适合推广使用。

著录项

  • 公开/公告号CN112162184A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院紫金山天文台;

    申请/专利号CN202010944513.3

  • 发明设计人 金骏达;史生才;

    申请日2020-09-10

  • 分类号G01R31/26(20140101);

  • 代理机构32252 南京钟山专利代理有限公司;

  • 代理人金子娟

  • 地址 210008 江苏省南京市鼓楼区北京西路2号

  • 入库时间 2023-06-19 09:23:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-30

    著录事项变更 IPC(主分类):G01R31/26 专利申请号:2020109445133 变更事项:申请人 变更前:中国科学院紫金山天文台 变更后:中国科学院紫金山天文台 变更事项:地址 变更前:210008 江苏省南京市鼓楼区北京西路2号 变更后:210023 江苏省南京市栖霞区元化路10号

    著录事项变更

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