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公开/公告号CN112147480A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-29
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN202011109387.6
发明设计人 孔武斌;涂钧耀;刘恒阳;
申请日2020-10-16
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人李智
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 09:23:00
机译: 具有串扰干扰抑制器电路和用于控制由串扰干扰抑制器电路执行的抑制量的控制装置的存储电路
机译: 功率半导体器件包括垂直MOSFET和绝缘栅双极晶体管作为功率半导体芯片组件,垂直结场效应晶体管和MOSFET的堆叠,桥电路和级联电路
机译: 使用该电子电路装置的设计方法,设计支持方法,系统的创建和设计方法以及串扰分析方法
机译:驱动电路消除SiC MOSFET中的桥腿串扰
机译:纳米级MGDG MOSFET电路的小信号电容和毛刺功率估计:一种设备/电路协同设计方法
机译:一种新型的垂直MOSFET'垂直逻辑电路(VLC)MOSFET',可抑制不对称特性并实现超紧凑且坚固的逻辑电路
机译:一种新的垂直MOSFET“垂直逻辑电路(VLC)MOSFET”抑制不对称特性,实现超紧凑且鲁棒逻辑电路
机译:一种解决集成电路中串扰的设计方法。
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机译:器件和电路失配对并联碳化硅mOsFET的影响
机译:解决集成电路串扰的设计方法