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一种抑制串扰的碳化硅MOSFET桥臂电路及设计方法

摘要

本发明公开了一种抑制串扰的碳化硅MOSFET桥臂电路及设计方法,属于电力电子电路技术领域。包括两组RC缓冲电路:用于减少上管Q1受到的串扰的Rbuffer1、Cbuffer1和用于减少下管Q2受到的串扰的Rbuffer2、Cbuffer2。通过合理配置Rbuffer、Cbuffer的值,一方面减小漏源电压变化率来抑制受到的正向串扰,另一方面需要控制住对源极电流变化率来限制受到的负向串扰。本发明提供了一种无源抑制碳化硅MOSFET桥臂串扰的方案,在不增加电路和控制复杂度的前提下,提高了碳化硅MOSFET桥臂工作的可靠性和安全性。

著录项

  • 公开/公告号CN112147480A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN202011109387.6

  • 发明设计人 孔武斌;涂钧耀;刘恒阳;

    申请日2020-10-16

  • 分类号G01R31/26(20140101);

  • 代理机构42201 华中科技大学专利中心;

  • 代理人李智

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2023-06-19 09:23:00

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