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永磁体涡流损耗的优化方法

摘要

本发明涉及一种永磁体涡流损耗的优化方法,包括以下步骤:1)选取非同心磁极永磁电机的永磁体区域以子域法模型为基础,采用混合分区域的方法对不同形状的永磁体进行径向和周向分域;2)构建非同心磁极永磁电机的永磁体涡流损耗模型;3)得到优化后的非同心磁极永磁电机永磁体区域的偏心距,最后按照偏心距设置非同心磁极永磁电机永磁体区域。本发明对非同心磁极参数优化,得到转子涡流损耗最低时的偏心距指标,设计电机,从而降低了电机的永磁体涡流损耗。解决现有方法精度低,时间长,通用性较差等问题。

著录项

  • 公开/公告号CN112152400A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈阳工业大学;

    申请/专利号CN202011011184.3

  • 发明设计人 佟文明;孙鲁;吴胜男;张红奎;

    申请日2020-09-23

  • 分类号H02K15/00(20060101);G06F30/17(20200101);G06F30/23(20200101);

  • 代理机构21115 沈阳智龙专利事务所(普通合伙);

  • 代理人宋铁军

  • 地址 110870 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号

  • 入库时间 2023-06-19 09:21:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-25

    授权

    发明专利权授予

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