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公开/公告号CN112151638A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-29
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN202010827989.9
发明设计人 李亭亭;项金娟;张青竹;王晓磊;贺晓彬;唐波;殷华湘;李俊峰;
申请日2020-08-17
分类号H01L31/101(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;
代理人金铭
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-06-19 09:21:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-21
授权
发明专利权授予
机译: 光电照相感光体的基本材料及其制造方法,光电照相感光体及其制造方法以及光电器件
机译: 感光膜的安装方法,感光膜的制造方法,光电器件和电子设备
机译: 在半导体器件上形成钝化区的方法,红外辐射敏感光电二极管阵列,制造相同方法的方法以及钝化车身表面的方法
机译:感光光电阴极:感光光电阴极的最新进展:从分子染料到半导体量子点(Adv。Sci。4/2018)
机译:生物发作诱导的BioBR / Bi_2S_3半导体异质结构:高效策略,用于建立有机磷农药检测的敏感光电化学传感系统
机译:Y型DNA结构稳定的p型CUS量子点,以淬灭三元异性结构的光电流,用于miRNA的敏感光电化学检测
机译:位置敏感光电探测器操纵像素化晶体识别能力的信号调节技术
机译:使用光谱敏感光学元件测量单色光波长的方法=通过使用波长敏感光学部件测量单色光波长的方法
机译:表征紫外敏感光电二极管的光电系统的校准表征紫外敏感光电二极管的光电系统的校准
机译:直接带隙,电离辐射不敏感光电二极管结构