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实现单个吸收体具有近全吸收太阳光吸收性能的单吸收体的制备方法

摘要

本发明公开了一种实现单个吸收体具有近全吸收太阳光吸收性能的单吸收体的制备方法,通过纳米复合核壳结构材料的壳层的结构和形貌尺寸调控、使在单个吸收体上形成耦合增益效应,改进单个吸收体的光谱特性,拓宽吸收体的吸收光谱范围,成功制备单个吸收体具有超宽频吸收光谱的耦合增益局域表面等离子体共振吸收体,极大地增强了吸收体的局域表面等离子体共振的吸收强度,同时拓宽了单个吸收体的光吸收范围,改进单个吸收体的光吸收特性。单个CE‑LSPR吸收体的吸收光谱连续地覆盖335‑1800nm,吸收96.04%的太阳光,首次实现单个吸收体近全吸收太阳光。

著录项

  • 公开/公告号CN112126417A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 王海龙;

    申请/专利号CN202010922147.1

  • 发明设计人 王海龙;刘曼;

    申请日2020-09-04

  • 分类号C09K5/14(20060101);C09K3/00(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构44001 广州科粤专利商标代理有限公司;

  • 代理人蒋欢妹

  • 地址 057751 河北省邯郸市馆陶县路桥乡王桃元村067号

  • 入库时间 2023-06-19 09:18:22

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