一种新型高可靠性IGBT及其制造方法

摘要

本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种新型高可靠性IGBT及其制造方法，旨在解决现有技术中Dummy Cell区域存在很高的掺杂浓度，影响器件的长期可靠性，其技术要点在于，其中，制造方法包括S1：通过光刻版在所述晶圆衬底表面打开需要刻蚀的区域，并注入Boron离子，再通过高温退火形成Dummy区域，并在晶圆表面沉积氧化层覆盖刻蚀区域；S2：使用Active光刻版打开需要刻蚀的区域，并去除表面氧化层，以打开Cell区域；S3：在晶圆衬底表面形成刻蚀掩蔽层，运用Trench光刻版打开需要刻蚀的区域，并打开深槽刻蚀窗口，进行Si刻蚀，以形成深槽结构。通过优化槽栅结构，提升Dummy Cell侧氧化层厚度，以及保护上方绝缘介质层，减小器件长期对氧化层的注入的影响，提升长期可靠性。