无源器件制备方法及无源器件

摘要

本发明适用于无源器件制备技术领域，提供了一种无源器件制备方法及无源器件，该方法包括：在半导体衬底上制备绝缘介质层；在绝缘介质层上制备氮化钽金属层；对氮化钽金属层进行刻蚀，获得无源器件样品；在无源器件样品上制备钝化层，获得无源器件。本发明基于氮化钽金属层，可以制备与其他电子元器件匹配良好、应用范围广的无源器件，同时可以实现薄膜电容的制备，有利于无源器件的小型化和集成化。