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公开/公告号CN112047310A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 东莞理工学院;
申请/专利号CN202010846523.3
发明设计人 林朝阳;申芳华;
申请日2018-09-15
分类号C01B19/04(20060101);B82Y30/00(20110101);
代理机构
代理人
地址 523808 广东省东莞市松山湖科技产业园大学路1号
入库时间 2023-06-19 09:09:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-16
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C01B19/04 专利申请号:2020108465233 申请公布日:20201208
发明专利申请公布后的撤回
机译: ZnTe基复合半导体单晶和ZnTe基复合半导体单晶的制备方法
机译: Ag掺杂Te基纳米材料的制备方法及使用该方法的存储器件
机译:掺杂半导体ZnTe_(1-x)F_x和ZnTe_(1-y)N_y塞贝克系数的第一性原理研究
机译:掺杂浓度降低的V掺杂ZnTe半导体中的半金属铁磁性
机译:重掺杂胶体半导体和金属氧化物纳米晶体:一种新兴的新型等离子体纳米材料
机译:通过固有掺杂的N-和P型ZnTe半导体的生长
机译:化合物半导体ZnTe薄膜的研究。
机译:异质结太阳能电池中间缓冲层的Cu掺杂对半导体ZnTe薄膜中p型载流子的显着影响和带隙的减小
机译:$ ^ {111} Ag ^ {111} Cd $掺杂的ZnTe和CdTe中的Ag受体的鉴定
机译:分子氮中脉冲激光烧蚀制备高掺杂p型ZnTe薄膜