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半导体生产期间的过程诱导位移表征

摘要

本发明揭示一种控制器,其经配置以:在至少一个离散背侧膜沉积过程之前对半导体晶片执行至少第一表征过程;在所述至少一个离散背侧膜沉积过程之后执行至少额外表征过程;基于至少所述第一表征过程及至少所述额外表征过程确定经由所述至少一个离散背侧膜沉积过程沉积于所述半导体晶片上的至少一个离散背侧膜的膜力或一或多个平面内位移中的至少一者;及经由前馈回路或反馈回路中的至少一者将所述膜力或所述一或多个平面内位移中的至少一者提供到至少一个过程工具以改进一或多个制作过程的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN112041975A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 科磊股份有限公司;

    申请/专利号CN201880092339.5

  • 申请日2018-12-20

  • 分类号H01L21/67(20060101);H01L21/033(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人刘丽楠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 09:06:00

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