一种基于荧光共振能量转移的复合结构及其制备方法与应用

摘要

本发明提供了一种基于荧光共振能量转移的复合结构及其制备方法与应用，属于温度探测仪技术领域。包括二氧化硅/硅基底，沉积在所述二氧化硅/硅基底中二氧化硅层上的单层二硫化钼层，涂覆在所述单层二硫化钼层上的壳核量子点；所述壳核量子点的发射波长为400～650nm。本发明选用发射波长为400～650nm的壳核量子点，该壳核量子点激发光谱范围宽，与二硫化钼吸收谱高度重叠，使两者组成的复合结构能量转移效率高；同时，单层二硫化钼的比表面积大，进一步提高了复合结构的能量转移效率。另外，壳核量子点发光稳定，且不易降解，使复合结构的能量转移效率稳定。由于该复合结构对温度敏感，有望应用于温度传感芯片。