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一种基于解耦联热处理控制碳纳米管生长状态的装置和方法及其应用

摘要

本发明提供一种基于解耦联热处理控制碳纳米管生长状态的装置和方法及其应用,属于碳纳米管制备技术领域。本发明通过设计多区域快速热CVD反应器,从而将催化剂形成温度(T1),碳源分解温度(T2)以及碳纳米管成核和生长温度(T3)完全解耦。基于上述解耦技术可对三个温度(T1,T2和T3)中的每一个可能影响碳纳米管生长的温度进行独立研究,因此具有良好的实际应用之价值。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-16

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B32/162 专利申请号:2020108720881 申请公布日:20201120

    发明专利申请公布后的驳回

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