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可调谐激光器硅基混合集成及可调谐激光器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种可调谐激光器硅基混合集成及可调谐激光器及其制备方法,可调谐激光器硅基混合集成包括硅基衬底以及可调谐面发射水平腔激光器,可调谐面发射水平腔激光器包括外延结构本体,外延结构本体的上端沿波导传输方向间隔设置有长度不同的多段脊型波导,实现不同间距的梳状谱的叠加,外延结构本体的上端设有N电极和多个P电极,外延结构本体的水平腔脊型波导上设有面发射垂直耦合光栅,用于实现水平谐振腔激光的垂直耦合面发射,可调谐面发射激光器倒装在硅基衬底上,硅基衬底上设有的多个焊盘,多个焊盘的上端用于分别与可调谐面发射激光器的N电极、多个P电极一一对应焊接。其通过失谐多阶光栅的垂直耦合以实现面发射与硅基混合集成。

著录项

  • 公开/公告号CN111934201A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉云岭光电有限公司;

    申请/专利号CN202011046653.5

  • 发明设计人 韩宇;

    申请日2020-09-29

  • 分类号H01S5/42(20060101);H01S5/026(20060101);H01S5/06(20060101);H01S5/065(20060101);H01S5/22(20060101);H01S5/343(20060101);

  • 代理机构11228 北京汇泽知识产权代理有限公司;

  • 代理人胡建文

  • 地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学产业园正源光子产业园内2幢1层1-5号

  • 入库时间 2023-06-19 08:55:10

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