一种基于类卤素原位钝化法的CdTe纳米晶制备方法

摘要

本发明提供了一种基于类卤素原位钝化法的CdTe纳米晶制备方法，属于纳米晶技术领域。该技术方案将类卤素铵盐(硫氰酸铵、四氟硼酸铵、六氟磷酸铵)引入到制备CdTe纳米晶的前驱体溶液中，原位引入的类卤素基团(即硫氰酸基团、四氟硼酸基团、六氟磷酸基团)能够有效钝化CdTe纳米晶的表面缺陷，减少非辐射复合中心，从而有效提高其荧光性能和稳定性。本发明制备的CdTe纳米晶具有较高的荧光性能，且稳定性较好；同时，其工艺过程简单，制备参数易于控制，重复性好，为制备高亮度稳定CdTe纳米晶提供了一种新的途径。