首页> 中国专利> 一种电场和/或磁场调控合成二维材料的装置和方法

一种电场和/或磁场调控合成二维材料的装置和方法

摘要

本发明公开了一种电场和/或磁场合成二维材料的装置和方法,于二维材料合成的反应腔内设置磁场产生装置和/或电场产生装置以及高温高真空保护装置,使气态分子、固体粒子或等离子体在磁场和/或电场调控下沉积于衬底上形成二维材料,调控方式包括加速前驱物分解、定向移动气态分子、固体粒子或等离子体和调控二维材料在衬底上的成核位点和晶粒取向,提高二维材料合成所需衬底的选择性,提高二维材料合成速率,可低温、快速合成高质量二维材料。

著录项

  • 公开/公告号CN111910171A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门大学;

    申请/专利号CN202010455859.7

  • 发明设计人 蔡端俊;刘国振;郭斌;陈小红;

    申请日2020-05-26

  • 分类号C23C16/34(20060101);C23C16/02(20060101);C23C16/44(20060101);C23C16/52(20060101);

  • 代理机构35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司;

  • 代理人张松亭;陈淑娴

  • 地址 361000 福建省厦门市思明南路422号

  • 入库时间 2023-06-19 08:50:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-30

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C16/34 专利申请号:2020104558597 申请公布日:20201110

    发明专利申请公布后的驳回

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