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米级尺度单壁碳纳米管薄膜连续制备转移方法及专用装置

摘要

本发明涉及单壁碳纳米管薄膜的连续制备及转移技术,具体为一种米级尺度的单壁碳纳米管薄膜的卷对卷连续制备转移方法及专用装置。采用浮动催化剂化学气相沉积法合成单壁碳纳米管,在可连续运行的微孔滤膜表面,通过气相抽滤方法均匀、连续沉积单壁碳纳米管薄膜;采用卷对卷压印的方式,碳纳米管薄膜可由微孔滤膜表面转移至柔性塑料基板上,从而获得宽幅可达米级、长幅不受限的大面积均匀单壁碳纳米管薄膜。本发明提出的单壁碳纳米管薄膜的卷对卷连续制备转移技术,在常压、室温条件下实现大面积、均匀单壁碳纳米管薄膜的宏量制备,对于推动单壁碳纳米管薄膜在未来透明、柔性光电器件领域的规模化制备及应用中具有重要意义。

著录项

  • 公开/公告号CN111908454A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院金属研究所;

    申请/专利号CN201910386388.6

  • 申请日2019-05-09

  • 分类号C01B32/168(20170101);C01B32/164(20170101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构21234 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张志伟

  • 地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

  • 入库时间 2023-06-19 08:50:28

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