一种增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法

摘要

本发明涉及一种增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法，包括以下步骤：1)在待增强粘附性的硅衬底表面进行光刻定义铆钉阵列图形；2)在硅衬底正面进行深硅刻蚀至一定深度，形成铆钉阵列结构；3)去除硅衬底表面残余的光刻胶；4)在硅衬底表面淀积一定厚度的聚对二甲苯，形成平整的聚对二甲苯覆盖层，完成制备。通过深硅刻蚀工艺形成用于增加硅衬底比表面积的铆钉阵列结构，使聚对二甲苯薄膜与硅的粘附力得到显著增强。该方法采用了与现有规模制造工艺兼容的聚对二甲苯微机电系统工艺，适用于制备高性能柔性硅基电子器件，使硅基电子器件与聚对二甲苯柔性裹覆材料在反复弯折变形的过程中不易分层或脱离，保证了柔性硅基电子器件的可靠稳定工作。