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公开/公告号CN111841592A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 盐城工学院;
申请/专利号CN202010825596.4
发明设计人 董鹏玉;毛健;奚新国;杨秀丽;蒋金辉;关荣锋;谢明华;
申请日2020-08-17
分类号B01J27/22(20060101);C01B3/04(20060101);
代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;
代理人殷星
地址 224051 江苏省盐城市希望大道中路1号
入库时间 2023-06-19 08:45:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-06
授权
发明专利权授予
机译: 利用AG-CU-PD夹层材料和AG扩散控制层增强纯TI / TI基合金和FE基钢合金接头抗腐蚀能力的方法
机译: 利用Ag-Cu-Pd插入材料和Ag扩散控制层提高纯Ti / Ti基合金与Fe基钢合金之间的接头的耐腐蚀性的方法
机译: 利用基于AG的插入材料和AG扩散控制层连接纯TI / TI基合金和FE基钢合金的方法
机译:在Ti3C2Tx板上电沉积具有原位生长纳米粒子TiO2的Ni–P–TiO2 / Ti3C2Tx涂层
机译:在导电Ti3C2TX mxOne纳米片上的TiO(2)纳米颗粒的原位水热生长:在环境条件下增强N-2的N-2降低NH 3的协同活性Ti基纳米嗜催化剂
机译:自蔓延高温合成“原位”合成的Ti-B-Cr和Ti-B-Nb系统中的陶瓷基复合材料
机译:Ti3C 2Tx MXene聚合物复合材料的合成与表征。
机译:通过火花等离子体烧结法烧结碳化硅复合材料微观结构和机械性能的Ti3C2Tx mx12和表面改性Ti3C2Tx Mx的影响
机译:在Ti3C2Tx板上原位生长纳米粒子TiO2的Ni-P-TiO2 / Ti3C2Tx涂层的电沉积
机译:Ti-si和Ti-B基原位复合材料的结构与断裂特征