公开/公告号CN111834384A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-27
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN202010832168.4
申请日2020-08-18
分类号H01L27/146(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人曹廷廷
地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号
入库时间 2023-06-19 08:41:05
机译: 图像传感器彩色互补金属氧化物半导体图像传感器的栅格与电极隔离,并被带到可能耗尽相邻电极之间光敏层区域的电势
机译: 背面照明图像传感器芯片中的金属栅格及其形成方法
机译: 用于背照式图像传感器金属栅格的侧壁及其制造方法