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一种基于聚苯胺修饰黑磷纳米片的多功能电子器件及其制备方法和应用

摘要

本发明属于信息存储技术领域,具体提供了一种基于聚苯胺修饰黑磷纳米片的多功能电子器件及其制备方法和应用,同时具备忆阻器性能和非易失性可擦写阻变存储性能。本发明中器件结构为经典的三明治结构,顶电极为Al,活性层为聚苯胺修饰的黑磷纳米片,底电极为ITO(氧化铟锡)。该器件在小电压窗口表现出忆阻器特性,且具有良好的线性关系;在大电压窗口则表现出双稳态非易失性可擦写行为,具有良好的保持性和耐受性。

著录项

  • 公开/公告号CN111834526A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东理工大学;

    申请/专利号CN202010652703.8

  • 发明设计人 张斌;侯杰;樊菲;龚明磊;

    申请日2020-07-08

  • 分类号H01L45/00(20060101);G11C16/14(20060101);B82Y10/00(20110101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构31230 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人任艳霞

  • 地址 200237 上海市徐汇区梅陇路130号

  • 入库时间 2023-06-19 08:41:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-21

    授权

    发明专利权授予

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