一种实现MCU Flash存储器擦写损耗均衡的方法

摘要

本发明公开了一种实现MCU Flash存储器擦写损耗均衡的方法。本发明首先计算该数据的长度，根据数据长度的大小从存储区域选择合适数量的BLOCK提供给该数据的写入，并返回该次数据写入的末尾地址，等到下次数据更新写入时，将末尾地址作为更新数据的首地址写入，如此循环往复，待存储该类型数据的BLOCK耗尽时，将所有的BLOCK全部擦除，在原来的首地址重新再写入新的数据。本发明实现了flash损耗均衡，更是在flash存储器低成本的基础上又极大降低了flash存储器寿命消耗速度。