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具有改善的信号电子检测性能的多束检测设备

摘要

本公开提出了一种用于将多个电子束引导到电子检测装置上的光电系统的交叉形成偏转器阵列。交叉形成偏转器阵列包括位于光电系统的一个或多个光电透镜的集合的图像平面处或至少附近的多个交叉形成偏转器,其中每个交叉形成偏转器与多个电子束中的对应的电子束对准。

著录项

  • 公开/公告号CN111819654A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;

    申请/专利号CN201980017872.X

  • 发明设计人 任伟明;刘学东;胡学让;陈仲玮;

    申请日2019-02-21

  • 分类号H01J37/28(20060101);H01J37/147(20060101);H01J37/29(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人董莘

  • 地址 荷兰维德霍温

  • 入库时间 2023-06-19 08:36:28

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