实现写缓存的方法、装置、计算机设备及存储介质

摘要

本发明涉及实现写缓存的方法、装置、计算机设备及存储介质；其中，方法，包括：判断写缓存区域中的数据是否已搬空；若未搬空，则计算当前写入页剩余可写入的数据量；判断是否对写缓存区域中的数据进行数据流重组；若是，则将数据流重组后的数据写入NAND中；若否，则按顺序将数据写入NAND中。本发明通过根据写入位置、坏块情况以及是否插入磁盘阵列校验，动态决定从写缓存区域写入到NAND颗粒的数据量，从而达到理想的拼接效果，并且如果写入点为TLC写入点，写缓存区域中的数据进行顺序调整，从而达到更优的读取拼接率，提升连续读性能，能够更好地满足需求。