公开/公告号CN111755437A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-09
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡中微亿芯有限公司;
申请/专利号CN202010620258.7
申请日2020-07-01
分类号H01L25/18(20060101);H01L25/00(20060101);H01L23/535(20060101);H01L23/538(20060101);G06F30/34(20200101);
代理机构32228 无锡华源专利商标事务所(普通合伙);
代理人过顾佳;聂启新
地址 214000 江苏省无锡市建筑西路777号B1幢2层
入库时间 2023-06-19 08:30:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-31
授权
发明专利权授予
机译: FPGA设备使用硅连接层形成片上网
机译: 实验室光伏电池基板上硅层的制造方法,涉及在低于硅熔融温度的温度下加热层后,利用试剂形成非晶硅或部分晶硅
机译: 集成电路的互补金属氧化物半导体晶体管的制造方法,包括对硅锗层进行外延工艺形成硅层,并利用氧化工艺氧化硅层