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利用硅连接层形成片上网络的FPGA装置

摘要

本申请公开了一种利用硅连接层形成片上网络的FPGA装置,涉及FPGA技术领域,该FPGA装置内部设计有源的硅连接层,硅连接层内部布设硅连接层互连框架,FPGA裸片内部的各个裸片功能模块接入硅连接层互连框架与其共同形成片上网络,裸片功能模块与硅连接层互连框架中的网络接口和路由器形成为一个NOC节点,NOC节点互相连通,从而可以令未内建NOC网络的FPGA裸片中的裸片功能模块之间借由硅连接层互连框架实现高效互连通信,在提高FPGA装置内部的数据传输带宽和性能的基础上降低加工难度。

著录项

  • 公开/公告号CN111755437A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡中微亿芯有限公司;

    申请/专利号CN202010620258.7

  • 申请日2020-07-01

  • 分类号H01L25/18(20060101);H01L25/00(20060101);H01L23/535(20060101);H01L23/538(20060101);G06F30/34(20200101);

  • 代理机构32228 无锡华源专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人过顾佳;聂启新

  • 地址 214000 江苏省无锡市建筑西路777号B1幢2层

  • 入库时间 2023-06-19 08:30:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-31

    授权

    发明专利权授予

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