使用层压传输线结构的高性能可变增益放大器

摘要

本公开涉及使用层压传输线结构的高性能可变增益放大器。一个实施方案是设备，包括：半导体集成电路(“IC”)芯片，包括用于实现放大电路的至少一个有源组件；和包括多个金属层的层压结构，所述层压结构还包括多个无源组件和基于传输线的结构。所述半导体IC芯片与所述层压结构集成，使得所述层压结构的顶层包括位于所述半导体IC芯片顶部的屏蔽和用于限制所述放大电路产生的信号的磁性耦合超出所述层压结构的无源组件。