一种基于可靠性快速测试的晶体管阵列结构设计方法

摘要

本发明公开了一种基于可靠性快速测试的晶体管阵列结构设计方法，该方法采用金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管作为单管结构；对若干单管结构进行矩阵排列，分别做局部共用栅极和局部共用漏极的处理，将源极和衬底分别做全体公共连接，形成晶体管阵列结构，针对阵列结构进行可靠性测试。本发明使测试用的pad结构数量明显减少，晶圆的整体利用率得到显著提升，同时可以根据不同需求自由选择大片区域的器件进行测试，实现测试时间的优化利用，从根源上实现了测试周期的大幅缩短，达到快速测试的效果。