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金属结构二硒化鉬/氧化还原石墨烯复合物及其铜掺杂复合物粉体的制备方法

摘要

金属二硒化鉬1T‑MoSe2是一种理想的电催化剂。目前单层1T‑MoSe2一般需要对块状MoSe2应用各种复杂的化学和物理分层方法分层。本发明提供了一种1T‑MoSe2及其与氧化还原石墨烯的复合物、以及Cu掺杂1T‑MoSe2及其与氧化还原石墨烯的复合物的制备工艺。制备工艺为:令含有硒离子、仲鉬酸铵、柠檬酸、氧化石墨烯的水分散体进行水热反应,反应条件为室温10‑12h→160℃18‑24h水热。本发明不经分层工艺即可确保1T结构的形成,而且工艺简单,具有所用原材料和设备成本低、能耗小和效率高等优异的特点。此外,本发明添加RGO和掺杂Cu离子可以进一步改善材料性能。

著录项

  • 公开/公告号CN111659422A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陕西科技大学;

    申请/专利号CN202010364848.8

  • 发明设计人 贺海燕;贺祯;沈清;

    申请日2020-04-30

  • 分类号B01J27/057(20060101);C01B3/04(20060101);C09K11/88(20060101);

  • 代理机构61202 西安西达专利代理有限责任公司;

  • 代理人郑安迪

  • 地址 710021 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学

  • 入库时间 2023-06-19 08:16:01

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