一种硅基铒掺杂镓酸锌薄膜电致发光器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基铒掺杂ZnGa2O4薄膜电致发光器件及其制备方法，属于硅基光电子技术领域。所述电致发光器件，包括硅衬底，硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层，硅衬底背面设有欧姆接触电极，所述硅衬底表面具有氧化硅层，所述发光层为铒掺杂的ZnGa2O4薄膜。本发明在带有～10nm SiOx层的n+型硅片表面沉积铒掺杂的ZnGa2O4薄膜，进而制备的电致发光器件仅发出Er3+离子在可见光和近红外光区的特征发光峰。本发明提出的掺铒薄膜发光器件的电致发光强度较强，制备方式简单便捷易操作，而且器件制备所用工艺与现行硅基CMOS工艺完全兼容。