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一种剥离Ti3AlC2制备高纯度少层Ti3C2Tx片层的方法

摘要

本发明公开了一种剥离Ti3AlC2制备高纯度少层Ti3C2Tx片层的方法。通过NaHF2水溶液刻蚀Ti3AlC2MAX相粉末中的Al层同时使Na+插入到层间,实现一步获得层间距为12.35Å(2θ=7.1°)的Ti3C2Tx片层,该方法比HF、NH4HF2和HCl+LiF剥离得到的Ti3C2Tx层间距均大。本发明剥离得到的Ti3C2Tx片层,具有类手风琴状结构,片层结构完整且粒径较大,生成的副产物可通过H2SO4清洗去除,且产物收得率可达到80‑85%;将剥离后的Ti3C2Tx片层经过超声、离心处理即可得到单层或少层Ti3C2Tx。

著录项

  • 公开/公告号CN111634913A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 太原理工大学;

    申请/专利号CN202010472348.6

  • 申请日2020-05-29

  • 分类号C01B32/90(20170101);C01B32/907(20170101);C01B32/921(20170101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构14101 太原市科瑞达专利代理有限公司;

  • 代理人申艳玲

  • 地址 030024 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号

  • 入库时间 2023-06-19 08:12:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-17

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B32/90 专利申请号:2020104723486 申请公布日:20200908

    发明专利申请公布后的驳回

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