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一种以熔融二氧化硅为硅源制备高纯莫来石材料的方法

摘要

一种以熔融二氧化硅为硅源制备高纯莫来石材料的方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:a、按质量百分比将75~94wt%的二氧化硅质原料、4~20wt%的铝硅质原料和0.1~2wt%的烧结助剂混合后,经过球磨、烘干、成型,在1500~1600℃高温炉中煅烧0.5‑1小时,将混合原料烧制成熔融态,冷却后即得熔融二氧化硅原料;b、将步骤a中制备的熔融二氧化硅原料破碎后和氧化铝质原料按Al2O3/SiO2摩尔比为3:2的组成配料,将混合原料共磨后加入上述原料之和4wt%的结合剂,并在80~150MPa压力下成型,经1550~1650℃煅烧3~8小时,冷却后得到高纯莫来石晶体材料。本发明以熔融二氧化硅为硅源,合成高纯莫来石材料的烧结温度低,助烧结剂加入量少,并形成柱状莫来石和板片状莫来石晶体;具有杂质含量少、致密度高和高温力学性能好的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN111620679A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 郑州大学;

    申请/专利号CN202010547921.5

  • 申请日2020-06-16

  • 分类号C04B35/185(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/626(20060101);C04B35/63(20060101);C04B35/634(20060101);

  • 代理机构41110 郑州中民专利代理有限公司;

  • 代理人郭中民

  • 地址 450001 河南省郑州市高新技术产业开发区科学大道100号

  • 入库时间 2023-06-19 08:11:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    授权

    发明专利权授予

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