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一种基于超导和隧穿磁电阻的高精度复合磁梯度计

摘要

本发明公开了一种基于超导和隧穿磁电阻的高精度复合磁梯度计,自下而上依次包括超导闭合环路层,绝缘层和隧穿磁电阻器件层,所述超导闭合环路层包括两个位于同一平面内且呈镜面对称设置的超导环,所述超导环包括窄区、宽区和用于连接窄区和宽区的连接部,两超导环的窄区靠近设置,所述隧穿磁电阻器件层位于两超导环窄区的上方,本发明具有结构简单,能对磁场梯度进行超高灵敏测试的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN111624526A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;

    申请/专利号CN202010456098.7

  • 申请日2020-05-26

  • 分类号G01R33/022(20060101);G01R33/035(20060101);G01R33/09(20060101);

  • 代理机构43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙);

  • 代理人张丽娟

  • 地址 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号

  • 入库时间 2023-06-19 08:09:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-14

    授权

    发明专利权授予

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