首页> 中国专利> 一种调节导磁柱霍尔推力器磁分界面形态的磁路设计方法

一种调节导磁柱霍尔推力器磁分界面形态的磁路设计方法

摘要

一种调节导磁柱霍尔推力器磁分界面形态的磁路设计方法,涉及一种霍尔推力器磁分界面形态的磁路结构设计技术,为了解决现有的导磁柱霍尔推力器存在磁分界面,导致电子损失高、电子利用效率低以及推力器放电效率低的问题。本发明通过在所述导磁柱霍尔推力器上增加上侧外壳或下侧外壳;通过改变上侧外壳或下侧外壳的位置、高度和厚度,实现调整磁分界面的形态;增设上侧外壳以增大磁分界面与推力器轴线的角度;增设下侧外壳以减小磁分界面与推力器轴线的角度;上侧外壳间隔设置在外励磁线圈外侧,并与外磁极的外边缘接触;下侧外壳间隔设置在外励磁线圈外侧,并与底板的外边缘接触。有益效果降低电子损失、提升电子利用效率、实现推力器高效率。

著录项

  • 公开/公告号CN111622912A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN202010443375.0

  • 申请日2020-05-22

  • 分类号F03H1/00(20060101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人张利明

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-06-19 08:09:41

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号