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一种低温快速生成高强度高熔点接头的芯片连接方法

摘要

本发明公开了一种低温快速生成高强度高熔点接头的芯片连接方法。本发明采用自设计的电阻加热与功率超声结合的超声辅助热压装置,在不破坏芯片的同时,采用高频率低压力的超声振动实现对芯片的低温连接。在芯片连接过程中,利用超声的物理振动效应使得金属纳米颗粒之间、颗粒与基板之间产生了剧烈的摩擦,导致焊料层的温度快速升高,从而加速了原子的扩散,最终在极短时间内更低的温度下实现了芯片与基板的连接。本发明方法获得接头具有更高剪切强度(70‑90MPa)、高热导率(60‑80W/m·K)、宽的服役温度,是第三代半导体芯片连接的一种有效解决方案,同时满足长时间高服役温度、高强度、高可靠性的特殊应用场合。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-23

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/48 专利申请号:2020104033090 申请公布日:20200904

    发明专利申请公布后的驳回

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