首页> 中国专利> 一种嵌入式单电源供电的多电平SiC MOSFET驱动电路

一种嵌入式单电源供电的多电平SiC MOSFET驱动电路

摘要

本发明公开了一种嵌入式单电源供电的多电平SiC MOSFET驱动电路,包括被驱动SiC MOS管、驱动芯片、电阻Rg、二极管D、电阻Rc、电容Cz、二极管Dz、MOS管M和电阻Rm。该驱动电路采用准4电平驱动,通过在关断开始时采用负压,避免了桥臂另一SiC MOSFET开通导致的误导通情况;通过在关断完成后采用零电压,避免了负压尖峰引起的SiC MOSFET失效问题。此外,能够在开通关断时实现更高的开关速度。

著录项

  • 公开/公告号CN111987890A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北工业大学;

    申请/专利号CN202010754391.1

  • 发明设计人 吴旋律;吴小华;赵鑫;

    申请日2020-07-30

  • 分类号H02M1/08(20060101);H02M1/32(20070101);H02M1/38(20070101);

  • 代理机构61204 西北工业大学专利中心;

  • 代理人金凤

  • 地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号

  • 入库时间 2023-06-19 08:06:35

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号